【模拟IC】gm/id设计方法（简便、ic61版）

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一、 Gmid扫描仿真

1.1搭建仿真环境

搭建NMOS的仿真环境

1.2 ADE_L设置

ADE设置状态：

各个变量设置的表达式：

1.3参数扫描

可以证明当我们的W在变化时，只要在Vgs和L不变的情况下，可以看到对gmro和fT的结果是影响不大的。

二、 gm/id三端扫描曲线

2.1 仿真设置以及gmid表达式

参数扫描：

2.2 仿真结果与分析

2.2.1 gmro仿真结果与分析

由图可以看到，对于我们的gmro来说，随着L越大，晶体管的本征增益也在变大，即沟长增大，它的增益也在变大（因为增大了ro）。同时我们的vgs也会影响增益，L不变，vgs增大，过驱动增大，减小gm,使得增益减小。

2.2.2 fT的仿真结果与分析

随着L增大，fT在下降。因为沟长增大，寄生电容也在增大，导致截止频率在减小。对于固定L来说，增大过驱动电压，可以使得晶体管工作在更快的频率上。

2.2.3 gmid的仿真与分析

gmid跟L乘弱相关关系，与过驱动呈正相关。

有什么操作不懂的可以私聊博主。