【模拟IC】二级运放1：DC直流工作点

所谓万事开头难，我们现在就要开始着手分析与设计这个二级运放的第一步—DC工作点。

在着手分析整个电路之前，首先让我们来认识一下电路中的各个器件，以明确它们在整个电路中分别担任什么样的职责：

M0、M1：第一级PMOS放大管，其尺寸（W、L）应完全相同，且在DC工作点处，栅极电压（两个输入电压）也完全相同。（这里请读者思考，为何采用PMOS作为第一级输入管？）。

M3、M4：第一级NMOS电流镜负载管，其尺寸（W、L）应完全相同，将第一级放大管的差分输出电流，转化为单端输出电压。

M2：第二级NMOS放大管。同学们这里可能会有疑惑，为何第二级要采用NMOS作为放大管而不是PMOS？这里实际上有两个原因，其一是通常在相同面积时，NMOS相对于PMOS拥有更高的跨导效率，即相同电流、相同面积情况下gm更大；还有一个原因是否能想到呢？悄悄提醒，其实是因为“失配”哦！

M5、M6、M7：PMOS电流镜，三者的L应完全相同（事实上，finger数量与每个finger的W也应相同，即只存在multiple的区别，同学们可以思考，为什么？）。其中，M5为第一级的尾电流，M6为第二级的负载管，而M7为电流镜的自偏置管。

电流源Ibias：偏置电流源。注意，这里我们在图中用理想电流源来代替。在真实的工程电路中，电流源是由系统带隙基准bandgap产生（基础知识在拉扎维第一版第十一章或者第二版本第十二章），设计难度在运放之上（如果学过这一章就知道，一般带隙基准中也需要运放，也由此可以看出，运放是所有模拟设计的基础）。

电容Cc：密勒补偿电容。在这里起到“极点分离”的作用（具体基础知识见拉扎维第十章），其主要功能是把第一级产生的极点“推”到低频处，把第二级产生的极点“推”到GBW之外，产生极点分离的作用，使相位裕度（PM）满足题设要求，设计时的具体考量会在之后章节详细叙述。

电容CL：负载电容，由设计指标确定，在经过“极点分离”后，此电容会影响“次极点”。当给定GBW，且第二级gm相同的情况下，CL越大，次极点越靠近GBW，相位裕度PM越差。

接着，我们来分析下，这几个MOS管中的哪些，是互相之间是有一定匹配关系，而不是互相独立的（研究这些是有意义的，其中有些匹配关系，是需要在schematic中特别标出，示意给版图工程师看的，有些匹配关系是指不同MOS管间存在宽长比关系，我们尤其在电路图中要注意前者的标定）。

让我们再次回到这张二级运放的电路图，这里大家思考下，我们要如何保证所有的管子都在饱和区？

让我们从8个管子中的“软柿子”开始捏，拎出其中两个自偏置（栅漏短接）的管子——M3、M7，它们只要开启，就是无条件处于饱和区的（这里如果还不熟练的小伙伴，推荐复习拉扎维第三章！）。

设M3与M7的Vgs为Vgs3与Vgs7，那么第一级的输入管M0的漏极电压与M5的栅极电压就被确定了。这里大家要注意，M7、M5与M6是需要匹配的，即它们的设计参数——W、L与finger数量都应保持一致，只存在multiple的不同。这是由于它们是电流镜管，这样的匹配关系可以保证在PVT发生变化时，放大器第一二级电流可以保持不变，使运放的性能更为稳定。（这里的原因在一开始设计时其实无需理解，只需记住一点——电流镜管子需要满足上述的匹配关系）

此时输入共模电平VCM的范围已经可以确定了，首先考虑下限，为保证M0满足平方率模型的饱和区边界条件，输入共模电平VCM应满足：

其中VTH0为M0管的阈值电压。

而VCM的上限由M5的饱和区边界条件决定，因此输入共模电平VCM还应满足：

至此我们保证了第一级中“左侧”两个管子M0、M3以及“中间”的M5处于饱和区，那么“右侧”的M1和M4在这种条件下，一定处于饱和区吗？

相信聪明的小伙伴已经想到了，答案是肯定的，这是因为图中A与B两点的电压一定是相等的。然而同学们是否想过这是为什么呢？

我们不妨假设B点电压大于A点，此时会发生不合理的事情：由于M0、M1的栅、源电压相等，且M3、M4的栅、源电压也相等，同时存在沟长调制效应，因此M1的电流会小于M0，而M4的电流则大于M3。

可能有的小伙伴还没反应过来，那么将此时的等式与不等式写在一起：

也就是说，我们得到了M0管的电流小于M0管的电流，这是不可能的！

同理，B点电压小于A点电压也会得到不合理的结论。因此，B点电压只能恰好等于A点电压，所以只要M0、M3饱和，M1、M4就一定饱和。

一些调电路的细节：
1.电流镜的W、finger、L要一样，这样可以保持版图上的对称性以及PVT变化上的对称性，使得我们电流镜呈现一个准确的镜像关系，因为Multiple意义是将管子复制多少份，所以我们设计电流镜的同时，因存在Multiple的不同。教科书上的W的实际意义是finger*W（仿真器的W）*multiple。

2.对输入对管的要求：不要取最小尺寸，负面效应很严重。对multiple来说，通常不会取1，至少取到2以上，因对于差分对管来说，保持版图上的对称性（ABBA），取到4比较好。

3.负载管：需要大的输出电阻，L取大，multiple取4。

5.尾电流源的漏极电压取决于输入对管的Vgs,因为Vcm是一定的，电流不变，减小尺寸，减小Vgs,可以增大尾电流源的vds。另外，还可以通过改变尾电流源的晶体管W来减小Vdsat,值得注意的是，为了匹配性，电流镜的管子的W、L、和finger要一起动。