《炬丰科技-半导体工艺》溢流冲洗效率评价

最新推荐文章于 2024-08-09 21:25:57 发布
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版权
本文探讨了半导体晶片清洗工艺中溢流冲洗的流体动力学，旨在减少用水量、清洗时间和提高清洗均匀性。研究发现大部分水流经晶片-壁间隙而非晶片间，提出通过优化设计降低无效流动以提升清洗效率。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：非晶碳层的刻蚀特性研究

编号：JFKJ-21-1672

作者：华林科纳

引言

本文描述了溢流晶片清洗工艺中的流场。该信息被用于一项倡议，其主要目的是减少晶片清洗中的用水量。使用有限元数值技术计算速度场。大部分的水无助于晶片清洗。

介绍

清洗步骤占工厂中使用的纯水(UPW)的6%。一个工厂一年就可以使用数十亿加仑的水。大量的水是重要的制造费用。此外，在一些地方，用水是一个环境问题。然而，随着芯

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hlke2022
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