《炬丰科技-半导体工艺》介绍了制备单晶或多晶半导体薄膜的方法，包括离子注入、热处理等阶段，旨在实现均匀、控制厚度的薄膜。这种方法适用于绝缘体上硅衬底、自支撑硅膜等应用。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：半导体材料薄膜的生产工艺
编号：JFKJ-21-548
作者：炬丰科技
摘要
制备单晶或多晶半导体材料薄膜的方法，其特征在于，它包括使具有平坦表面的阿瑟微 导体材料晶片经历以下三个阶段:第一阶段，通过离子在所述晶片的体积中产生气体微泡层来对所述晶片的表面进行离子注入，在所述晶片的体积中限定构成衬底质量的下部区域和构成薄膜的上部区域,使所述晶片的平面与由至少一个刚性材料, 层构成的加强件紧密接触为第二阶段，在高于离子轰击温度的温度下热处理所述晶片和所述加强件的组件为第三阶段。
发明概述
本文涉及一种生产半导体材料薄膜的工艺，这使得能够克服上述缺点而不需要与所选择的半导体不同性质的初始
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