《炬丰科技-半导体工艺》晶圆二流体清洗方法

本文介绍了《炬丰科技-半导体工艺》中的一种晶圆二流体清洗方法,旨在有效去除蚀刻或灰化操作后晶片表面的残留物。通过在基板上方的邻近头提供加热流体,产生弯液面,然后使基板在邻近头下方线性移动,实现单晶片清洁。这种方法对于确保半导体芯片制造过程中的洁净度和提高产品质量至关重要。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:晶圆二流体清洗方法

编号:JFKJ-21-319

作者:炬丰科技

摘要

  提供了一种在单个晶片清洁系统中去除后处理残留物的方法。该方法开始于向设置在衬底上方的邻近头提供第一加热流体。然后,在基板的表面和邻近头的相对表面之间产生第一流体的弯液面。基板在接近头下方线性移动。还提供了单晶片清洁系统。

 

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