《华林科纳-半导体工艺》КОН在凸角处的蚀刻行为

摘要

各向异性蚀刻剂通过掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上产生由（ 100）和（111）平面组成的孔。在这种情况下，孔的上角是尖的。如果通过无掩模湿法各向异性蚀刻工艺蚀刻整个表面，则上部拐角变圆。例如，在实现晶片通孔互联的情况下，圆角是必须的。尖角增加了光致抗蚀剂破裂的风险，光致抗蚀剂破裂用于图案化下面的金属。因此，了解最常见的各向异性蚀刻剂（氢氧化钾）的蚀刻行为以及圆角的形状非常重要。本文通过蚀刻剂对不同晶面的蚀刻速率分布，解释了氢氧化钾在凸角处的倒圆效应。为了确定快速蚀刻的平面 ,已经对圆角的形状进行了模拟。执行的实验结果与蚀刻拐角的模拟形状非常相似。

介绍

封装是集成电路生产中最昂贵的部分。为了生产更便宜和更小的集成电路器件，应该发现新的封装技术。策略是减少包装面积 ,寻找更便宜的替代材料，在不降低器件可靠性和稳定性的情况下使用。一些特定器件（例如太阳能电池）的封装面积可以通过晶片通孔互 连来减小。该想法基于在＜ 100＞取向的硅晶片中各向异性蚀刻通 孔的倾斜侧壁上实现金属互连线。通孔由氢氧化钾蚀刻，氢氧化钾是最流行的各向异性蚀刻剂之一