标准清洗槽中的质量参数的监控方法

高效的硅片清洗需要最佳的工艺控制，以确保在不增加额外缺陷的情况下提高产品产量，同时提高生产率和盈利能力。

硅半导体器件是在高度抛光的晶片上制造的。晶圆上的划痕和其他缺陷可能会影响最终产品的性能。因此，表面准备是获得干净、镜面抛光、未受损硅表面的关键步骤。化学清洗是一种行之有效的方法，用于去除晶圆表面的污染物。最常见的工艺是RCA清洗，通过两个连续的标准溶液清洗晶圆。标准清洁1 SC1浴(或氨过氧化物混合物APM)由NH4OH和H2O2组成。标准清洁2 SC2浴由盐酸和H2O2制成。有效清洗晶片的关键因素是清洗槽的停留时间和最佳化学浓度。对主要SC1/SC2槽成分的快速在线监测保证了晶片产量的增加，同时降低了缺陷密度。

SC1浴从晶片上去除颗粒、薄膜和有机残留物，并在表面形成薄氧化层。然而，过渡金属氢氧化物也可以保留在晶片表面上。也就是说，在后化学机械平面化化学机械抛光清洗顺序中，SC2浴变得至关重要。SC2浴是酸性的，有助于去除表面的碱和过渡金属。这种清洗过程在晶片表面留下一层薄的钝化层，以避免未来的污染。

图1 用于清洗液分析的在线近红外光谱(NIRS)系统配置

导体器件越小，从硅片表面去除小颗粒就越困难。因此，半导体制造商在洁净室内部的湿台中执行标准清洁步骤，以控制环境并避免进一步污染。这种设置留给安装分析系统的空间非常有限。此外，应避免在洁净室区域内进行任何化学处理，以提高人身和生产安全，并避免污染晶圆。

在标准清洗液中同时监测多个参数的一种更安全、更高效、更快速的方法是使用无试剂近红外光谱(NIRS)进行在线分析。浴槽的实时分析将化学物质浓度保持在严格的规格范围内，将它们的消耗量减少了约25%，每年为每个浴槽组件节省数万美元。

当洁净室空间有限时，过程分析仪可以安装在地下核心设施的洁净室外，或者只是安装在嵌入处理单元或工具本身的湿工作台下