PVA超细颗粒清洗现象

引言

为了LSI的小型·高性能化， 为了实现高精度的基板表面粗糙度，在制造工序中推进了微细且多层布线化。要求使用粒径100 nm以下的纳米粒子的CMP（Chemical Mechanical Polishing）工程。工艺后晶圆上残留纳米粒子，成为产生缺陷产品的原因[1， 2]抛光后的清洗之一是利用软PVA（Polyvinyl Alcohol）刷直接接触清洗晶圆。通过具有内部孔和结构凹凸的刷子的机械旋转运动和供给的药液流动，附着在表面的纳米粒子从晶圆上脱离[3]。在清洗过程中，观察表面上的抛光纳米粒子的清洗现象。阐明机制， 对于更有效的纳米粒子清洗是必不可少的。

在本研究中使用渐逝光的PVA刷的氮化膜上的纳米二氧化硅粒子接触清洗现象的观察[4]中，PVA刷与基板表面接触使粒子从表面脱离时，由于PVA刷的散射光明亮，所以很难观察与纳米二氧化硅粒子的相互行为。因此，在本稿中，通过使用与PVA刷不同波长的荧光特殊纳米二氧化硅粒子，识别蓝色散射光的PVA刷和红色荧光的纳米二氧化硅粒子，观察表面附近的接触清洗现象，因此进行报告。

实验

图1显示了PVA刷的接触擦洗。通过向晶圆表面