栅极光刻胶去除方法

通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅，可以简化后处理序列，从而缩短前工艺处理时间，上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤；将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤；和RCA清洗步骤。

图1是示出浇口蚀刻过程中过量生成的聚合物的图。图2a内地图2b为浇口蚀刻后的感光膜去除方法的工艺剖面图。图3是从设备方面说明感光膜去除方法的概要的图，该方法将在Asher的工艺室内进行 。

更详细地说，涉及一种在浇口蚀刻后能够顺利地去除聚合物和感光膜的方法，在半导体制造过程中，每一步都必须写照相工艺。该照相工艺将感光剂均匀涂布在晶片上， 使用步进器等曝光设备， 是指将蒙版或复制品上的图案缩小投影曝光后，经过显影过程，形成所需二维图案的感光膜的所有工序。在照相过程中形成图案后， 使用感光膜作为掩膜，实施蚀刻或离子注入工程等，之后实施去除不必要的感光膜的工程，称为感光膜去除。为了解决上述问题， 目的在于针对浇口蚀刻后生成的聚合物的特性，首先顺畅地去除聚墨，从而提供一种能够简化感光膜去除工艺的感光膜去除方法。

为达到上述目的，在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤；将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤；提供一种浇口蚀刻后的感光膜去除方法，其特征是包括和RCA清洗步骤。由此，围绕感光膜的聚合物被顺利去除，从而使随后的感光膜去除工艺得以简化。在形成了小晶的下部结构的硅基板的上部沉积了浇口氧化膜和浇口多晶硅后，利用照相工艺和蚀刻工艺形成浇口。