《炬丰科技-半导体工艺》二氧化硅蚀刻标准操作程序

于 2021-08-09 11:11:32 发布
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版权

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：二氧化硅蚀刻标准操作程序

编号：JFKJ-21-201

作者：炬丰科技

1.目的和应用  

  缓冲氧化物蚀刻或氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险，建议用户使用在执行工艺之前，请仔细阅读材料安全数据表。  

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