二氧化硅薄膜蚀刻速率均匀性的比较

引言

半导体生产过程中，蚀刻工艺是非常重要的工艺。蚀刻工艺中使用的方法通常有batch式和枯叶式两种。Batch式是用传统的方法，在药液bath中一次性加入数十张晶片进行处理的方法。但是随着半导体技术的发展，开发出了一张处理晶片的枯叶式。在常温的药液中，batch式的均匀度在3%以上，而每叶式的均匀度在1%以下，非常优秀。另外，与batch式相比，枯叶式的超纯用量少1/15左右，在Cu工艺等担心金属污染的工艺中处理晶片一张，从而防止反向污染。枯叶式是一次性展示晶片时喷射书药液的方法。这时喷射喷嘴可以从伟珀中心向边框方向来回转动，通过boom swing均匀地冷却。

本方法将batch和batch结合起来，用没有boom swing的方法评价了蚀刻工艺。在进行蚀刻工艺时，以消除boom swing为基础，用晶片上有板的结构制作了枯叶式装置，进行了蚀刻评价。在没有Boom Swing的枯叶式结构中，将常温的药液从晶片中央喷射出来进行了蚀刻评价，并进行了评价，以了解使用高温药液时的结果果。使用高温药液时，出现了口感不均匀的问题。对此时发生的问题进行了这一理论考察，并在理论计算结果的基础上，改进了高温药液的喷射方法。

实验