氧化硅刻蚀速率的提高方法

摘要

等离子体蚀刻工艺，特别适用于在具有非氧化物成分的特征上选择性蚀刻氧化物，例如氮化硅，尤其是当该特征具有在氧化物蚀刻期间易于刻面的角部时。主要的含氟气体，优选六氟丁二烯 (C4F6)，与显着更大量的稀释气体氙 (Xe) 结合，可在不发生蚀刻停止的情况下提高氮化物的选择性。

发明领域

本发明一般涉及硅集成电路的蚀刻。特别地，本发明涉及在能够大大降低对氮化硅15和其他非氧化物材料的蚀刻速率但仍然在氧化物中产生垂直轮廓的工艺中蚀刻氧化硅和相关材料。

背景技术

在硅集成电路的制造中，芯片上器件数量的持续增加以及随之而来的最小特征尺寸的减小对制造过程中使用的许多制造步骤中的许多步骤提出了越来越困难的要求，包括 25 个不同的沉积层材料到有时困难的拓扑结构上。

氧化物蚀刻提出了一些最困难的挑战。氧化物是用于 30 二氧化硅，特别是二氧化硅 (SiO 2 ) 的有点通用的术语，尽管众所周知，还包括略微非化学计量的成分 SiO x 。

各向异性可以通过干式等离子体蚀刻来实现，其中蚀刻气体，通常是氟基气体，被电激发成等离子体。可以调整等离子体条件以在 60 多种材料中产生高度各向异性的蚀刻。然而，各向异性不应通过以纯溅射模式操作等离子体反应器来实现，其中等离子体以足够高