《炬丰科技-半导体工艺》评估蚀刻和清洁工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：评估蚀刻和清洁工艺

编号：JFKJ-21-232

作者：炬丰科技

评价蚀刻和清洗过程

     蚀刻和清洗许多现代制造的表面，如硅片，会给制造商带来许多问题。 许多湿法蚀刻工艺使用腐蚀性和危险液体，如硫酸氢铵和氢氟酸，可能对用户和环境造成危害。

  毒性较低的方法，如机械研磨和喷砂，耗时较长，精确度较低，更适合创建宏观蚀刻——当电子元件需要更小、更复杂的电路时，用处较小。 光烧蚀使用高能激光来制造微蚀刻，但这一过程被限制在高度局域化、较小的区域，很难用于处理整个表面。

用等离子技术解决问题

  简单地生产质量较低的部件，在允许的污染水平下，满足特定市场、应用或价格点的要求。然而，仍然存在一些风险，特别是如果低质量导致产品彻底失败。

  另一种方法是首先消除导致部件污染的因素。这将涉及到要么完全消除制造步骤(可能由于成本或技术问题不可能)，要么完全返工或搬迁生产线，这可能会非常昂贵和耗时。

  半导体也许最不具吸引力的解决方案就是简单地把脏零件的问题交还给供应商。 这本质上把确保所有部件完全不受污染的责任推给了部件供应商。