《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体的RCA清洁技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：用于半导体的RCA清洁技术
编号：JFKJ-21-1073

引言
RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。此外，如图1所示，在pH 10.5附近的SC-1清洗液中，硅衬底和各种颗粒的表面电势（ζ电势）都为负，因此，通过静电排斥力去除各种颗粒，并防止再粘附。另一方面，在SC-2清洗中，许多金属溶解在pH为0-2的酸性溶液中，如SC-2清洗液，并作为离子稳定存在，因此晶片上的金属杂质也被溶解和去除。

实验
到目前为止，为了改进RCA洗涤技术，已经开发了以下新的洗涤液和洗涤装置。我们开发了使用臭氧水和电解离子水等功能水的洗涤技术，并在一部分的洗涤工艺中被采用。另外，使用超临界流体的洗涤工艺的研究也在进行中，被导入到MEMS等的洗涤工艺中。这些以水和二氧化碳为主要成分，其特征是洗涤后的废液处理容易且对环境友好。但是，为了制造功能水和超临界流体，需要导入新的设备。

通过引入300毫米的晶片，加速了从所谓的分批式清洗装置引入片状清洗装置的速度，所述分批式清洗装置用于在一个槽中共同浸泡和清洗数十个晶片，所述片状清洗装置用于在旋转每一个晶片的同时仔细清洗晶片。 在这种单晶片型清洁装置中，由于吞吐量的提高是不可避免的，因此传统的RCA清洁变得难以应对。 另外&