《炬丰科技-半导体工艺》介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理
编号：JFKJ-21-732
作者：炬丰科技

摘要
本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物，还可以消除包含特征的蚀刻金属的表面腐蚀。此外，我们还利用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)通过将薄膜从亲水改性为疏水来修复低k损伤和防止薄膜表面氧化膜的形成，特别是对于低k、超低k介电工艺。结果表明，聚酯在可靠性性能方面的实际效果高度依赖于特定的蚀刻配方、湿法清洗条件和生产线后端(BEOL)的衬底材料。我们还讨论了预蚀刻处理，以有效降低接触蚀刻中光刻胶浮渣的影响。简而言之，基于等离子体的蚀刻处理对于延长收紧的工艺窗口余量是必要的。

介绍
先进的互补金属氧化物半导体技术的持续扩展推动了BEOL对前端线(FEOL)NiSi和低k电介质/铜金属化的需求，以减少RC延迟。NiSi被广泛用作65纳米和40纳米技术节点上器件的金属触点。与其他硅化物相比，NiSi具有更低的电阻和更低的硅消耗。然而，NiSi更容易被氧化。在接触刻蚀过程中以及湿法刻蚀之前的排队时间内，由于接触孔暴露在空气中，可能会在NiSi表面形成一层自然氧化层。这将导致更高的接触电阻。同时，由于长时间暴露于空气中的湿气，接触孔底部的蚀刻副产物变得太粘而不能用湿清洁法去除。尽管积极的湿法清洗工艺可以去除NiSi表面的氧化层，但它往往会影响接触孔轮廓，从而降低可靠性性能。NiSi的氧化机理与接触O+O2或纯O2分子的NiSi表面完全不同。因此，我们提供了一个强大的解决方案，通过聚酯结合软湿清洁工艺来去除蚀刻副产物，同时防止NiSi界面被氧化。

实验和讨论
A.接触刻蚀工艺中刻蚀处理工艺的评估