《炬丰科技-半导体工艺》湿法蚀刻中不同蚀刻方法和各种蚀刻剂影响的综述

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：湿法蚀刻中不同蚀刻方法和各种蚀刻剂影响的综述
编号：JFKJ-21-1014
作者：炬丰科技

引言

微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材料，其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂，并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔，这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率来控制。执行蚀刻机制的成功之处在于，多层结构的顶层应该被完全去除，而在底层或掩模层中没有任何种类的损伤。这完全取决于两种材料的蚀刻速率之比，称为选择性。在一些蚀刻情况下，蚀刻会削弱掩模层，并产生形成空腔的倾斜侧壁。底切的距离称为偏差。

蚀刻类型

各向同性蚀刻：
湿蚀刻剂通常是各向同性的，并且它们在厚膜蚀刻期间导致较大的偏差。它们还需要处理大量有毒废物。这种蚀刻方法在“后端”处理(BEOL)之前特别有效，在该处理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且对热或机械类型的应力非常敏感。蚀刻几微米的非常薄的层将去除在背面研磨过程中产生的微裂纹，导致晶片具有显著增加的强度和柔性。
对于各向同性湿法蚀刻，氢氟酸、硝酸和乙酸(HNA)的混合物是硅最常见的蚀刻剂溶剂。每种蚀刻剂的浓度决定了蚀刻速率。二氧化硅或氮化硅经常被用作对抗HNA的掩蔽材料。当反应发生时，材料以类似于向下蚀刻的速度被横向移除。湿化学蚀刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因为液体蚀刻剂可以渗透到掩模下面。如果方向性对于高分辨率图案转移非常重要，通常禁止湿法化学蚀刻工艺。

各向异性湿法蚀刻：