《炬丰科技-半导体工艺》大面积氮化镓单晶和纳米线生长的新方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：大面积氮化镓单晶和纳米线生长的新方法

编号：JFKJ-21-242

作者：炬丰科技

介绍  

  每天有数十亿个晶体管被生产出来，其中95%以上是由硅制成的。硅因其易于获得、稳定的绝缘氧化物、易于p型和n型掺杂而在这一领域表现突出。

氮化镓(GaN)  

   氮化镓(GaN)是一种III-V族化合物半导体，直接带隙为3.4 eV(对应365 nm波长)。它在光电子以及高温、高功率电子领域都是一种极具吸引力的材料。 GaN可以与AlN和InN在0.7 eV到6.2 eV的连续组合范围内进行合金化，这对于生产任何特定的波长发射器都是至关重要的。 氮化镓的独特性能与其晶体结构密切相关。  

Crystal结构

 

Epitaxial增长      略