《炬丰科技-半导体工艺》减薄硅片的蚀刻技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：减薄硅片的蚀刻技术

编号：JFKJ-21-264

作者：炬丰科技

摘要

  高效指间背接触太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积，需要提供足够数量的能源供家庭消费。我们认为适当的采用光阱技术的IBC电池即使在厚度不足的情况下也能保持20%的效率。本工作采用光刻和刻蚀技术对晶圆进行深度刻蚀，使晶圆厚度小于20μm。

关键词:IBC太阳能电池，掩模蚀刻，光刻，反应离子蚀刻，TMAH蚀刻

介绍

  太阳能显示出供应潜力，这个因素取决于对高效率光伏器件和降低制造成本的需求。IA是光伏产业面临的主要挑战以与化石燃料竞争的成本生产足够数量的能源。这个因素取决于对高效率光伏器件和降低制造成本的需求。据报道，太阳能电池的效率在规模上高于20%。商用太阳能电池使用晶体硅材料。这种类型的PV电池是指间背接触太阳能电池。

实验