《炬丰科技-半导体工艺》氧化硅、氮化硅薄膜的成分分析

最新推荐文章于 2024-06-20 15:13:03 发布
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本文基于《炬丰科技-半导体工艺》探讨了使用等离子体增强化学气相沉积法制备的氧化硅、氮化硅薄膜。通过RBS、AES和EDX分析，研究了退火温度对薄膜化学组成的影响，指出在SiNx热氧化过程中，O、N、Si元素会发生再分布。非晶态氮化硅薄膜因其在太阳能电池和栅电介质等领域的应用而备受关注。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氧化硅、氮化硅薄膜的成分分析

编号：JFKJ-21-263

作者：炬丰科技

摘要

  利用NH3/SiH4气体混合物，采用等离子体增强化学气相沉积平行配置在多晶体硅(mc-Si)上生长氢、非晶态氮化硅。二次离子质谱学采用Rutherford背散射光谱(R

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