书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：PECVD沉积退火后 SiC 薄膜的蚀刻研究
编号：JFKJ-21-737
作者：炬丰科技
摘要
本文采用等离子体化学气相沉积技术在室温下制备了非晶碳化硅薄膜。后退火用于使碳化硅薄膜结晶。这些膜在反应离子蚀刻系统中使用SF6 + O2气体混合物进行蚀刻。用质谱技术研究了过程中氧气浓度的影响。使用这种技术，可以估计蚀刻速率最佳的更好条件，也可以验证像氟和氧这样的蚀刻剂种类对产生主要挥发性产物四氟化硅、一氧化碳和二氧化碳的贡献。
介绍
本文探讨了PECVD沉积并退火后的 SiC 薄膜在不同氧气浓度的SF6+O2混合气体中进行反应离子蚀刻的工艺。研究发现，O2 浓度在20%时蚀刻速率达到峰值，而高浓度O2导致蚀刻速率下降。质谱分析确认了氟在蚀刻过程中的关键作用，而O2的适当比例能促进挥发性副产物的形成。
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