书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:PECVD沉积退火后 SiC 薄膜的蚀刻研究
编号:JFKJ-21-737
作者:炬丰科技
摘要
本文采用等离子体化学气相沉积技术在室温下制备了非晶碳化硅薄膜。后退火用于使碳化硅薄膜结晶。这些膜在反应离子蚀刻系统中使用SF6 + O2气体混合物进行蚀刻。用质谱技术研究了过程中氧气浓度的影响。使用这种技术,可以估计蚀刻速率最佳的更好条件,也可以验证像氟和氧这样的蚀刻剂种类对产生主要挥发性产物四氟化硅、一氧化碳和二氧化碳的贡献。
介绍
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:PECVD沉积退火后 SiC 薄膜的蚀刻研究
编号:JFKJ-21-737
作者:炬丰科技
摘要
本文采用等离子体化学气相沉积技术在室温下制备了非晶碳化硅薄膜。后退火用于使碳化硅薄膜结晶。这些膜在反应离子蚀刻系统中使用SF6 + O2气体混合物进行蚀刻。用质谱技术研究了过程中氧气浓度的影响。使用这种技术,可以估计蚀刻速率最佳的更好条件,也可以验证像氟和氧这样的蚀刻剂种类对产生主要挥发性产物四氟化硅、一氧化碳和二氧化碳的贡献。
介绍