《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅片湿法清洗技术
编号：JFHL-21-1063
作者：炬丰科技

引言

以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件，近年来成为个人电脑热潮的导火索，预计今后器件的需求也会扩大。 那么，该硅半导体器件的基板材料几乎都是通过直拉法(CZ)法培育的单晶硅。 通过对单晶硅锭进行切割、研磨、蚀刻、镜面抛光以及湿法清洗工序，制作出厚度为700-800μm的镜面晶圆。 随着半导体器件的微细化及高性能化，晶圆表面的高品质化被进一步要求。晶圆表面质量有粒子、金属杂质、有机物、微粗糙度及自然氧化膜。在本文中，在CZ法硅镜面晶圆的加工中，关注表面的粒子及各种污染，对除去这些粒子的湿法清洗工序的概要及相关技术进行了叙述。

硅片清洗技术

我们已知清洗对镜面抛光后的晶圆表面质量有很大的影响，随着超大规模集成电路器件的微细化及高性能化的发展，人们逐渐认识到清洗的重要性，近十年来，研究也开始盛行起来。目前的镜面抛光晶圆的清洗大部分采用RCA法或其改良法。RCA法的基础是NH、OH/H202/H、O（称为SC-1清洗）以及HCI/H、O、/H、0（称为SC-2清洗），分别具有去除颗粒和金属污染的效果。 在实际的清洗技术中，根据用途组合这些，有效地去除粒子、金属杂质以及有机物。 下面就粒子、金属杂质以及干燥技术进行说明。

如图1所示，由于256MDRAM以后的世代采用了0.25μm的设计规则，因此在这些器件中使用的φ300mm晶片上，预计尺寸0.1μm级的粒子会对器件特性产生影响。下面，将对通过清洗除去粒子的机理、以及晶圆表面粒子的测量原理及问题点进行叙述。一般来说，在去除硅晶圆表面的粒子时，碱性的清洗比酸性的清洗更有利。对去除粒子有效的SC―1清洗是同时发生NH40H对硅的蚀刻和H202对硅的氧化的反应体系。据推测，去除颗粒的主要原因是NH40H的蚀刻。此外，我们还提出了基于溶液中的晶圆及粒子的zeta电位的粒子附着模型。在SC―1清洗中，NH40H蒸发显著，从除去粒子的观点来看，药液的使用时间受到限制。因此，为了在线监测药液中的浓度，使浓度恒定化，还提出了定量添加NH40H和H202的系统。在RCA清洗中，利用物理现象的超声波并用，有空化作