《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓相关材料工艺挑战

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化镓相关材料工艺挑战

编号：JFKJ-21-270

作者：炬丰科技

介绍

  几十年来，硅一直是半导体的选择，用于制造电源晶体管。硅垢的物理限制迫使研究和采用新材料。在生产准备的发展 ，III-V化合物半导体 ，氮化镓(GaN)是硅的一个有吸引力的替代品。优势:更高的体积流动性比硅，更高的通电流和更低的关电流，缺点:GaN薄膜的外延生长仍处于发展阶段，需要进一步的工作。

项目工艺流程

样本采集

 

由德州仪器提供的6英寸GaN-on-Si晶圆。  

氮化镓腐蚀理论

氮化镓在ICP腐蚀剂中的腐蚀速率与偏压的关系

  氮化镓是一种坚韧的蚀刻材料。 Ga和N 原子之间以离子形式结合因此它的键能比传统Si或大多数其他iii - v材料坚韧。

台面腐蚀: