《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓的光伏效应

最新推荐文章于 2024-09-15 17:22:56 发布
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版权

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化镓的光伏效应

编号：JFKJ-21-301

作者：炬丰科技

摘要

  采用宽带隙半导体材料或减小 p-n 结漏电流密度是增加开路电压以提高太阳能电池光电转换效率的重要途径。氮化镓( GaN) 是一种具有直接带隙的宽带隙化合物半导体材料，并已在光电器件领域得到广泛应用。以通过水热腐蚀制备的、具有优异宽波段光吸收性能的硅纳米孔柱阵列( Si-NPA) 为功能性衬底。

关键词: 光伏效应; 高开路电压; 异质结; 氮化镓/硅纳米孔柱阵列

引言

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hlkn2020
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《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓金属氧化物的表面制备和栅极氧化物沉积
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