《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集23

一：《雷达组件中GaN器件可靠性影响》

二：《5G时代的射频前端技术分析》

三：《GaN HEMT场板研究综述》

四：《GaN超高频谐振反激变换器》

五：《毫米波终端技术及测试方案分析》

六：《GaN器件的PFC设计》

七：《氮化镓材料在传感器中的应用》

八：《Si基GaN射频器件研究进展》

九：《射频氮化镓GaN技术及其应用》

十：《氮化镓毫米波功放技术发展》

十一：《GaN器件在高频谐振变换器上的应用研究》

十二：《L波段GaN宽带高功率放大器设计》

十三：《GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验》

十四：《GaN电力电子和射频器件产业链分析》

十五：《高功率放大器件在导航卫星中的应用和发展》

十六：《GaN功率器件的L波段1500W航管发射机设计》

十七：《GaN半导体技术的空间应用研究与展望》

十八：《氮化镓技术在雷达中的应用现状与发展趋势》

十九：《硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究》

二十：《GaN同质衬底的高迁移率材料研究》