《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集36

最新推荐文章于 2024-11-08 10:48:57 发布
最新推荐文章于 2024-11-08 10:48:57 发布
阅读量231 收藏
点赞数
文章标签： stm32 算法 自然语言处理
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/hlkn2020/article/details/120564833
版权
该技术资料合集详细探讨了半导体工艺的多个方面，包括湿式热氧化GaN的构成、碳化硅半导体衬底、晶片清洗工艺、磷化铟纳米管的合成、晶圆级封装的可靠性分析等。涵盖了从材料性质、器件制造到封装技术的广泛内容，尤其关注磷化铟的光子特性及其在微纳米器件和光子电路中的应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一：《湿式热氧化GaN构成》

二：《平面碳化硅半导体衬底》

三：《晶片清洗工艺评估》

四：《磷化铟纳米管的合成》<

最低0.47元/天 解锁文章
hlkn2020
关注
《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体的RCA清洁技术
jfkj2021的博客
01-06 557
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于半导体的RCA清洁技术 编号：JFKJ-21-1073 引言 RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。此外，如图1所示，在pH 10.5附近的S
《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术
jfkj2021的博客
01-12 501
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：硅片湿法清洗技术 编号：JFHL-21-1063 作者：炬丰科技 引言 以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件，近年来成为个人电脑热潮的导火索，预计今后器件的需求也会扩大。 那么，该硅半导体器件的基板材料几乎都是通过直拉法(CZ)法培育的单晶硅。 通过对单晶硅锭进行切割、研磨、蚀刻、镜面抛光以及湿法清洗工序，制作出厚度为700-800μm的镜面晶圆。 随着半导体器件的微细化及高性能化，晶圆表面的高品质化被进一步要求。晶圆表面质量有粒子、金属杂质、有机物、
Image sensor 知识简介
leonardohaig的博客
02-02 8649
转载自公众号 像由芯生 ，原文链接 前言 摄像机用来成像的感光元件叫做Image Sensor或Imager。目前广泛使用的2种Image Sensor是CCD和CMOS Image Sensor（CIS）。在数码摄影机市场上已经广泛应用了CCD技术，但是CCD需要消耗大量的能量和相当多的支持芯片。所以CMOS Image Sensor应运而生。其每个像素都可以进行自己的电荷转换，从而显著减少产生图像所需要的能量和支持电路。此外，CMOS Image Sensor采用与大多数微处理器和存储器芯片相同的材
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集21
hlkn2020的博客
09-01 281
一：《新型氮化镓功率晶体管特性分析》 二：《氮化镓晶体管的DC_DC电源模块》 三：《适用于GaN器件的谐振驱动电路》 四：《高性能GaN纳米线阵列》 五：《GaN单晶片的表面加工工艺研究》 六：《超薄氮化镓制备及其光学性质》 七：《SiO2蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响》 八：《大规模GaN纳米线阵列的制备及表征》 九：《应用于LLC谐振变换器的GaN器件电路设计》 十：《GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究》 十一：《具有双异质结的氮化镓高压肖特基二极管》 十二：《
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集一
hlkn2020的博客
08-12 563
一：《背金腐蚀工艺》 二：《wet clean技术》 三：《Lift off工艺》 四：《湿法刻蚀要点》 五：《沟槽刻蚀工艺》 六：《电化学蚀刻重心》 七：《多孔硅层湿法腐蚀要领》 八：《刻蚀清洗原理操作》 九：《CMP后清洗技术的研究》 十：《单晶片清洗技术》 十一：《多晶硅刻蚀特性的研究》 十二：《B---clean湿法清洗工艺》 十三：《晶片的清洗液及清洗方法》 十四：《光学滤光片镀膜前清洗技术》 十五：《ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究》 十六：《石英玻璃性能及湿法刻.
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集27
hlkn2020的博客
09-07 246
一：《薄型封装PTP和多层薄型封装》 二：《封装测试工艺技术指导资料》 三：《集成电路封装芯片互连技术》 四：《集成电路封装市场现状》 五：《IC封装的发展趋势》 六：《芯片测试常见问题处理》 七：《CMOS电路工艺流程》 八：《裸芯片封装技术的发展与挑战》 九：《芯片封装测试流程详解》 十：《芯片封装引线电性能的测试》 十一：《晶片基本知识介绍》 十二：《钛种植体阳极氧化的分析》 十三：《种植体腐蚀设备》 十四：《SLA种植牙的表面分析》 十五：《SPM工艺在光刻胶全湿剥离中的
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集37
hlkn2020的博客
10-08 271
一：《碳化硅薄膜的选择性刻蚀》 二：《碳化硅衬底和外延》 三：《碳化硅衬底及其制造方法》 四：《碳化硅热氧化》 五：《碳化硅单晶的制造方法》 六：《碳化硅的化学机械抛光》 七：《碳化硅等薄膜及沉积方法》 八：《碳化硅等离子刻蚀方法》 九：《碳化硅晶体的生长方法》 十：《碳化硅衬底上的氮化物基晶体》 十一：《铜锌锡硫薄膜的化学气相沉积》 十二：《微型LED技术的多视图显示》 十三：《形成不含氧的硅基薄膜的方法》 十四：《旋涂、喷涂和电沉积技术比较》 十五：《退火对InP上ZnO薄膜
《炬丰科技-半导体工艺》单片湿法刻蚀
hlkn2020的博客
09-10 486
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单片湿法刻蚀 编号：JFKJ-21-435 作者：炬丰科技 摘要 绝缘体上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通过使用两个硅晶片的晶片键合技术制备的。该生产过程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干净和平坦。为了有效提高氧化后二氧化硅膜厚的均匀性，单片湿法刻蚀法是一种有用的技术。其进一步推进应得到理论计算的支持。 结论 氟化氢水溶液在旋转的 200 毫米直径硅晶片上对二氧化硅膜的蚀刻速率通过计算流体动力学计算朗缪尔型表面化学反应。反应过程包括三个步
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集十
hlkn2020的博客
08-21 226
一：《晶圆硅锭生产工艺》 二：《半导体制造中的化学分析》 三：《掩模清洁技术工艺》 四：《硅垂直湿蚀刻》 五：《电流耦合效应的定义》 六：《晶圆超声清洗技术》 七：《刻蚀均匀性技术研究》 八：《半导体设备制造发展》 九：《晶体湿化学蚀刻制备》 十：《薄膜沉积方法》 十一：《二氧化硅化学蚀刻工艺》 十二：《光刻胶工艺开发及应用》 十三：《化合物半导体衬底加工》 十四：《晶圆制造工艺》 十五：《半导体制造知识》 十六：《光刻工艺》 十七：《超薄氮化硅技术 》 十八：《超薄硅片刻
STM32实现串口接收不定长数据
2403_87830841的博客
11-03 523
STM32实现串口接收不定长数据，主要靠的就是串口空闲（idle）中断,此中断的触发条件与接收的字节数无关，只有当Rx引脚无后续数据进入时（串口空闲时），认为这时候代表一个数据包接收完成了，在此时中断，对数据进行分析处理即可。因为之前都是已知数据长度，但RXEvevtCallback用于接收不定长数据，所以用Size来确认到底有几个数据，来发送 与接收数据相同的 字节数。参数：指针地址，变量，（一次性能接受的最大长度，一般是数组长度）Ex 代表扩展，idle代表空闲中断，参数：指针地址，要关闭的中断。
stm32 挂死定位（死循环）
陌上花开缓缓归以的博客
11-02 352
当进入中断时，CPU依次将xPSR,PC(Return Address),LR,R12,R3-R0压入堆栈。1，调式程序时先看初始化和轮询点灯流程，如果灯没有闪烁则表明程序进入了死循环。LR在异常后通常为0xFFFFFFFx，指示异常前的返回地址。5，dissassemly进入查看反汇编；0x08000735查看程序挂死位置。2，程序调式进入调式debug接口；，从而追溯到异常发生前的代码位置.程序异常后 LR会是以下的一种。3，打断点依次运行；
STM32通过RC522刷卡模块读取IC卡号，读写IC卡数据
KINO32的博客
11-05 316
1.RC522模块引脚介绍名称接线3.3V电源引脚，接3.3V，接5V会烧坏RST复位引脚，低电平复位GND电源地引脚IRQ内部中断信号输出引脚，暂时没有用到悬空即可MISOSPI协议主机输入引脚MOSISPI协议主机输出引脚SCK时钟引脚SDA片选信号引脚2.RC522模块介绍RC522是一种工作于13.56MHz(高频)的模块，可以与IC卡通过ISO/IEC 14443A协议进行数据交互。
STM32 BootLoader 刷新项目 (九) 跳转指定地址-命令0x55
艾格北峰嵌入式
11-08 671
在本篇文章，我们的主要是介绍0x55的命令，这个命令主要是在BootLoader中让程序跳转到指定地址。通过上位机发送10 Byte的数据，其中第1 Byte为整个数据的长度，第2Byte为指令码，第3-6 Byte为跳转的地址，第7-10 Byte为前6个Byte的CRC校验值。上位机通过串口UART发送给下位机，下位机回复地址是否跳转成功的标志。
【动手学电机驱动】STM32-FOC（5）基于 IHM03 的无感 FOC 控制
最新发布
youcans的博客
11-08 481
NUCLEO-IHM03 STM32电机控制套件使用FOC算法，为三相、低压和低电流的 BLDC 或 PMSM 电机提供电机控制解决方案。 本节从零开始，详细介绍使用 IHM03 电机控制套件开发无感 FOC 电机控制程序的基础操作。
STM32 + CubeMX + 硬件SPI + W5500 +TcpClient
lin
11-05 693
STM32 + CubeMX + 硬件SPI + W5500 +TcpClient
【动手学电机驱动】 STM32-FOC（2）STM32 导入和创建项目
youcans的博客
11-03 875
本节介绍 IHM03 电机控制套件的基础操作。 以 LED 点灯实验为例，（1）学习使用 STM32CubeIDE 开发工具导入项目，编译、烧录和运行程序。（2）学习使用 STM32CubeMX 开发工具创建、配置新项目，导入例程生成代码，编译与调试程序。 （3）学习使用 STM32CubeMX 开发工具创建、配置新项目，编写程序代码，编译与调试程序。
八、1.STM32之DMA实验--DMA数据转运
qq_58662017的博客
11-05 256
DMA：直接存储器存取，主要是为了帮助CPU暂存外设处理的数据，如ADC，TIM处理后的数据。实验1：现象将数据从一个数组通过DMA转到另一数组（DMACPU的搬运小助手）学完这个我就往南走，~~~~Whappy！
STM32移植RT-Thread---时钟管理
weixin_44176501的博客
11-05 683
RT-Thread的时钟节拍（Tick）是一个周期性的计时中断，用于标识系统的时间流逝。通常，系统Tick的频率是通过硬件定时器（如系统定时器或外部定时器）来控制的。
嵌入式——STM32外设应用
speaking_me的博客
10-27 1807
STM32 微控制器高性能、低功耗和丰富的外设资源。
半导体C-V测量技术选择与应用陷阱
"电容-电压测量技术是半导体分析中的重要工具，应用于各种器件和结构的参数测定，如MOSCAP、MOSFET、双极结型晶体管、JFET、III-V族器件、光伏电池、MEMS、TFT显示器、光电二极管和碳纳米管等。这种技术在研发、工艺...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值