《炬丰科技-半导体工艺》GaAs 和GaN 的湿热氧化

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaAs 和GaN 的湿热氧化

编号：JFKJ-21-461

作者：炬丰科技

介绍

  本章专门讨论 AIIIBV 半导体化合物的热湿氧化，主要是砷化镓和氮化镓。它分为几个主题，包含单斜晶系氧化镓1 b-Ga2O3 特性数据、氧化物制造技术和应用说明。在第一部分中，对上述半导体氧化物的性质进行了表征。然后描述了特别关注湿热氧化的制造方法。之后，给出了氧化镓结构在电子学中的应用。它还侧重于专用于气体传感器应用的半导体结构，而与包含 SnO2 等的那些相比，氧化镓层显着改善了检测器的最关键参数。

  AIIIBV 和 AIIIN 半导体化合物是众所周知的光电子器件材料。它们还经常用于构建高温和微波设备或化学气体传感器。在这些应用中，介电层是必需的。有可能使用他们自己的氧化物——Ga2O3 提供了制造许多不同器件的机会——MOS 结构（金属氧化物半导体）。它可以是 MOS 电容器、功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、高迁移率 GaAs MOSFET 或栅极关断晶闸管。

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