《炬丰科技-半导体工艺》 GaAs、GaN和GaN器件应用的湿热氧化

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：GaAs、GaN和GaN器件应用的湿热氧化
编号：JFKJ-21-1178
作者：华林科纳

前言
砷化镓GaAs(晶片)和氮化镓的热湿氧化是在N2作为主要气体和H2O作为氧化剂进行的。采用x射线衍射、椭偏仪、光反射仪、显微拉曼光谱、光学显微镜和原子力显微镜研究了材料的参数和表面形貌。缺少材料参数或材料参数范围很广，特别是折射率、介电常数及其对氧化物成分和结构的依赖性，构成了测量过程中的一些问题。砷化镓氧化比氮化镓氧化更难，尤其是来自HVPE的氮化镓。

实验
砷化镓和氮化镓在一个三区耐电炉中通过使用支架被氧化。为了确定合适的参数，改变了水源温度和反应（氧化）区温度。气体流量和该过程中的时间也有所不同。得到的氧化镓厚度从几纳米到数百纳米。这些研究使用了MOVPE和HVPE在蓝宝石基底上制造的砷化镓晶圆和氮化镓层。
湿热氧化反应动力学和反应结果取决于几个参数：区域反应温度(a)、水源温度（水泡器）(b)、主要输送气体©、通过水泡器(d)的输送气体、反应时间(e)和凝结气体类型(f)。
研究采用裸晶片或脱毛层晶片的砷化镓，氧化温度的范围在483到526摄氏度之间。时间从60分钟到300分钟不等。典型的氮气主流量分别为2800 sccm/min，通过水起泡器的典型流量分别为260和370sccm/min。
使用了两种氮化镓样品——蓝宝石基质上的氮化镓脱毛层——MOVPE薄层和HVPE厚层。砷化镓样品的氧化温度较高，分别为：755、795和82，典型的水温是95或96。氮的主要流量为1 450 ~2 800 sccm/min，通过起水器的流量为260~430sccm/min。反应器室内的总气体流量约为3000 sccm/min。

结果
用肉眼和光学显微镜进行光学观察，提供了许多关于氧化物表面形态的信息。可以