书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:MOCVD生长同质外延GaN的形态和结构
编号:JFKJ-21-654
作者:炬丰科技
关键词:氮化镓;外延层;缺陷;透射电子显微镜法
摘要
在氮化镓基质的n极表面发现MOCVD生长的氮化镓表现出明显的六角形锥体特征(典型的10--50毫升的大小取决于层的厚度)。锥体缺陷的演化主要由反演域的一个突发核心(通常为100nm大小)的生长速率决定。倒置域在含有非晶态材料的薄氧带(厚度的2-5nm)上成核,是用于在生长前制备基质的机械化学抛光技术的残余污染。除了金字塔形的山丘,顶部的山丘也形成。本文提出了这些特征与核心位错之间的联系,而核心位错构成了生长步骤的来源。通过对基底抛光程序的改进,可以有效地消除这些表面山丘。