《炬丰科技-半导体工艺》MOCVD生长同质外延GaN的形态和结构特征

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：MOCVD生长同质外延GaN的形态和结构

编号：JFKJ-21-654

作者：炬丰科技

关键词:氮化镓；外延层；缺陷；透射电子显微镜法

摘要

在氮化镓基质的n极表面发现MOCVD生长的氮化镓表现出明显的六角形锥体特征（典型的10--50毫升的大小取决于层的厚度）。锥体缺陷的演化主要由反演域的一个突发核心(通常为100nm大小)的生长速率决定。倒置域在含有非晶态材料的薄氧带(厚度的2-5nm)上成核，是用于在生长前制备基质的机械化学抛光技术的残余污染。除了金字塔形的山丘，顶部的山丘也形成。本文提出了这些特征与核心位错之间的联系，而核心位错构成了生长步骤的来源。通过对基底抛光程序的改进，可以有效地消除这些表面山丘。