《炬丰科技-半导体工艺》GaN在多孔硅衬底上的MOCVD生长

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN在多孔硅衬底上的MOCVD生长

编号：JFKJ-21-641

作者：炬丰科技

摘要

利用金属有机化学气相沉积法在多孔硅(PSi)衬底上成功生长了单晶氮化镓薄膜。PSi衬底上氮化镓薄膜的非对称摇摆曲线的半峰全宽(FWHM)比普通平面硅衬底上的氮化镓薄膜窄，而对称薄膜的FWHM宽。与平面硅上的氮化镓薄膜相比，晶圆弯曲程度减小，氮化镓的带边发射增强。此外，薄膜中的拉伸应力显著降低。

介绍

氮化镓和相关材料已经被研究用于可见光和紫外线范围的光电子器件以及高功率、高频电子器件。由于没有大面积的原生衬底，氮化镓基器件通常生长在蓝宝石或碳化硅等外来衬底上。另一方面，人们对在硅衬底上生长氮化镓以制造发光二极管和氮化镓/氮化镓高电子迁移率晶体管很感兴趣。与蓝宝石和碳化硅相比，硅衬底具有成本低、面积大、热导率合理等优点。我们报道了需要具有高热稳定性的中间层来防止回熔蚀刻，并成功地在硅上生长了平坦的氮化镓薄膜。我们和其他研究人员已经使用厚的氮化铝层和氮化铝镓/氮化镓多层膜在硅上成功生长了高质量的氮化镓薄膜。然而，由于大的晶格失配和热失配，仍然很难在硅上获得高质量的氮化镓薄膜。

实验

作为比较，相同的结构生长在350毫米厚的n型硅(111)衬底(平面硅)上。用干涉显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜和X射线衍射仪对其形貌和结构进行了表征。使用激光聚焦位移计获得表面位移轮廓。光致发光测量是在室温下用氦-镉激光器(325纳米，40毫瓦/平方厘米)进行的。在z(xy)–z背散射结构中，使用Nd:YVO4 SHG激光激发(532 nm)获得显微拉曼散射光谱(E2高)，散射光平行于GaN层的c轴，以估计薄膜中的双轴应力。

结果和讨论

PSi层最初由海绵和棒状结构的混合物组成，其尺寸小于几个10纳米。氮化物层生长后，PSi层变成泡沫状结构，充满了几个100纳米尺度的气泡。我们已经证实，在热清洗和生长50纳米厚的氮化铝后，没有观察到PSi的显著结构变化。因此，在氮化镓生长过程中会发生结构变化。PSi中的质量传输可能会引起这种结构变化，因为衬底温度远低于硅(1410 1C)的熔点。

 

 

GaN-on-Si系统的晶圆弯曲主要是由GaN和Si之间的热失配引起的。尽管PSi和Si衬底之间存在厚度差异，但PSi可有效减少晶圆弯曲的程度，这是由其良好的柔性造成的。在磅平方英寸上氮化镓的晶体质量几乎与平面硅相当。氮化镓薄膜和PSi层之间的界面粗糙度以及六边形凹坑周围边缘和混合TDs密度的降低可能分别导致了FWHMs的略微增加和减少。

当氮化镓的双轴应力分别为0.23 ~ 0.37 GPa和0.45 ~ 0.55 GPa。这些表明，泡沫状PSi缓解了氮化镓和硅之间的热失配，并有效地减少双轴应力，但更有效地引入氮化镓/氮化铝多层膜。

 

结论

总之，单晶氮化镓薄膜是使用MOCVD在PSi衬底上成功生长的。在氮化镓生长过程中，PSi层变成了泡沫状结构。一些气泡出现在氮化镓薄膜和PSi层之间的空隙中，从而在氮化镓表面形成六边形凹坑。六方坑降低了氮化镓中的碲镉汞密度，增强了铍的发射。显微拉曼光谱显示薄膜的拉伸应力明显降低。尽管其表面仍有裂纹，但PSi层非常有希望减少硅衬底上氮化镓薄膜的晶片弯曲程度和残余应力，从而成功生长用于高功率电子应用的更厚氮化镓薄膜。