《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集34

一：《硅氮化物蚀刻》

二：《硅蚀刻的机理》

三：《硅上磷化膜的光子集成》

四：《磷化铟光子集成电路技术》

五：《磷化铟微系统加工的挑战》

六：《砷化镓中光学电子的扩散》

七：《先进的等离子体处理》

八：《超薄硅片键合》

九：《CVD制备的ZnO薄膜光学研究》

十：《EUV光刻技术》

十一：《InP的光子集成的过去、现在和未来》

十二：《半导体材料薄膜的生产工艺》

十三：《砷化镓纳米线的合成及光学性质》

十四：《砷化镓功率异质结双极晶体管》

十五：《CVD中分子到材料转化的早期步骤》

十六：《MEMS制造应用的晶圆级气密封装》

十七：《薄栅氧化膜的单晶片热壁快速热处理》

十八：《单晶片材料去除和表面生成的研究》

十九：《硅片清洗条件下薄氧化物特性的研究》

二十：《硅片表面粗糙度对半导体器件特性的影响》