《炬丰科技-半导体工艺》种植体表面酸蚀氧化铝的稳定性

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:种植体表面酸蚀氧化铝的稳定性

编号:JFKJ-21-333

作者:炬丰科技

摘要

背景: 本研究的目的是通过对植入物的存活率、成功率、初级和二级稳定性、并发症和边缘骨丢失的回顾性分析,评估酸蚀表面用氧化铝喷砂的植入物的长期临床稳定性。

方法: 2008 年 1 月至 2008 年 1 月至韩国釜山首尔国立大学医院的 Osstem(韩国釜山,Osstem Implant Co., 2010 年 12 月被选中进行研究。回顾性分析患者的病历和 X 光片(全景、根尖周视图)以调查性别、年龄、植入位置、直径和植入物长度、初始和二次稳定性、骨移植的存在、骨移植和膜的类型、提前和延迟并发症、边缘骨丢失和种植体存活率。

背景

早期种植体呈现机械抛光的平坦表面,但在多项研究中,当前种植体粗糙表面的长期预后要好得多。种植体表面处理的目的是 (1) 增加表面积,在种植体植入后立即在骨骼和种植体之间提供更大的机械表面固定,(2) 提供有助于维持血栓的表面形状(3) 提供表面形状以促进愈合过程。

已经引入了几种方法,可以显着增加骨粘附,同时通过粗糙化种植体表面来增加初始固定力。代表性的方法包括钛等离子喷涂、HA(羟基磷灰石)涂层、喷砂法将各种具有优异生物相容性的特定颗粒介质喷涂到种植体表面,酸蚀刻使用高温酸性溶液在种植体表面进行蚀刻增加粗糙度、多孔烧结和阳极氧化。

植入物的稳定性和成活率

以下是 Osstem 植入物的示意图,这是本研究的主题(图 1)。 1)。

Osstem 的 TS 种植体夹具是一种浸入式夹具,具有内部 HEX 和 11 度莫氏锥度结构。通过使用内部平台结构,抗外部载荷的结构稳定性高,平台切换效应导致骨吸收低,美观,放置在骨水平以下。Osstem 的 SS 种植体夹具是一种非浸入式夹具,具有内部 Octa 连接。有一个优点是固定器本身是一种穿透牙龈的结构,不需要二次手术。涉及牙冠和固定装置直接接触的结构主要用于大摩尔压力的区域,因为它具有较高的抗外部载荷的结构稳定性。SS II 夹具和 SS III 夹具之间的区别在于夹具外表面与夹具中心轴的角度。SS II 夹具具有直体,植入深度可轻松调节

 

 

  • 0
    点赞
  • 0
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
### 回答1: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 芯片是一种常用的功率半导体器件,用于电力电子系统中。它结合了 MOSFET (金属-氧化物半导体场效应晶体管) 和 BJT (双极型晶体管) 的优点。IGBT芯片的生产工艺可以分为以下几个步骤: 1. 半导体晶体制备:首先,需要选取合适的半导体材料,例如硅(Si)或碳化硅(SiC),并通过单晶生长技术制备高纯度的单晶体。 2. 材料处理:在制备好的单晶体上进行切片和研磨处理,将其制成适合生产IGBT芯片的薄片。 3. 晶圆制备:将切片好的薄片装载在圆盘上,此圆盘称为晶圆。晶圆的直径和厚度通常是固定的,例如8英寸或12英寸的直径。 4. 清洗和扩散:晶圆经过一系列的清洗步骤,以保证表面的洁净度。然后,在晶圆上进行掺杂和扩散过程,将杂质引入晶格中以改变半导体材料的电学性质。 5. 光刻和蚀刻:在晶圆表面涂覆光刻胶,并使用光刻机将设计好的线路图案投影到光刻胶上。然后,对光刻胶进行蚀刻,以形成所需的线路图案。 6. 沉积和蚀刻:通过物理蒸发、化学气相沉积或物理气相沉积等技术,在晶圆表面逐步沉积多层薄膜,例如金属、氧化物和聚合物。然后,使用蚀刻技术去除不需要的材料,只保留需要的部分。 7. 电极制备:通过电镀或物理蒸发技术,在晶圆表面形成金属电极,用于连接各个部分。电极可以是导电或阻挡电流的。 8. 封装和测试:将晶圆分割成单个的芯片,然后通过封装技术将其封装到塑料或陶瓷封装体中。最后,对封装完成的芯片进行测试,以确保其性能和可靠性。 以上是简要介绍IGBT芯片的生产工艺,实际的生产过程可能更加复杂,其中涉及了许多高精度的工艺步骤和设备。不同的制造厂商可能有不同的工艺流程和技术细节,以满足不同的应用需求。 ### 回答2: IGBT(绝缘栅双极性晶体管)芯片是一种功率电子器件,用于转换和控制大电流和高电压。它的生产工艺主要包括以下几个步骤。 首先,原材料准备。IGBT芯片的主要原材料包括硅晶圆、二氧化硅、氧化铝、N型和P型的掺杂剂等。这些材料必须经过严格的筛选和准备,以保证最终芯片的质量。 接着是晶体片制备。晶体片制备是IGBT芯片生产的关键步骤。通过将硅晶圆经过化学气相沉积(CVD)的方法,覆盖上薄薄的二氧化硅和氧化铝层。这些薄层在之后的工艺中将用于形成晶体管的栅极和绝缘层。 然后是掺杂和扩散。通过掺杂剂的加入和高温扩散的过程,在硅晶圆上形成多个N型和P型区域,以构建晶体管的结构。这些区域将用于构造晶体管的结源、漏极和两个绝缘栅。 接下来是金属化与制造。金属化是将金属导线引线与芯片上的功能区域连接的过程。通过制造蚀刻的方法,将芯片上的金属层进行酸蚀,形成导线和连接点,实现电流的导通和控制。 最后是封装和测试。将制造好的芯片放入封装盒中,用封装材料进行封装,以保护芯片免受外界环境的干扰。然后进行各种测试,以确保芯片的功能和性能符合要求。 总之,IGBT芯片的生产工艺涉及原材料准备、晶体片制备、掺杂和扩散、金属化与制造、封装和测试等多个步骤。这些步骤的精确和可靠的实施对于确保芯片的质量和性能至关重要。 ### 回答3: IGBT芯片的生产工艺主要包括晶圆制备、渗透氧化膜形成、光刻、掺杂、扩散、阳极氧化、沉积金属、层间绝缘、蝶形开关制作、电连接和封装等步骤。 首先,晶圆制备是制造IGBT芯片的关键步骤。晶圆是从硅单晶生长而成,通常直径为6英寸或8英寸。晶圆表面被研磨和抛光,以获得平整度和纯度的要求。 接下来,晶圆经过渗透氧化处理,形成氧化硅层,提供绝缘和保护功能。然后,使用光刻技术将光刻胶涂于晶圆表面,通过紫外光照射,将预定的图案转移到光刻胶上。 在光刻胶上形成的图案被用作掺杂区域的掩膜。在掩膜的保护下,通过离子注入或扩散过程,在掺杂区域引入掺杂剂,改变晶体的电学性质。这种掺杂过程使得晶圆形成了N型或P型半导体区域。 随后,进行阳极氧化处理,以生成氧化膜层,增强绝缘性能。 然后是沉积金属步骤,通过物理或化学气相沉积技术,在晶圆表面或掺杂层上沉积金属层,用作源、漏等电极的连接。 接下来,层间绝缘步骤使用绝缘材料分层覆盖晶圆,以隔离不同区域的电信号。 蝶形开关制作是制造IGBT芯片的核心步骤之一。通过二氧化硅制作各种层次的结构和通道,以形成导电和隔离功能。 然后进行电连接,通过金线或嵌入式金属技术将不同电路、电极和芯片的不同层次连接起来。 最后,将芯片封装起来,以保护芯片,并连接外部电路和散热结构。 总结来说,IGBT芯片的生产工艺较为复杂,涉及多个步骤,包括晶圆制备、渗透氧化膜形成、光刻、掺杂、扩散、阳极氧化、沉积金属、层间绝缘、蝶形开关制作、电连接和封装等。这些步骤的完整执行确保了芯片的质量和性能。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值