《炬丰科技-半导体工艺》KOH蚀刻对镓面极性n-GaN表面性质的影响

最新推荐文章于 2022-01-11 11:39:12 发布
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KOH硅湿法蚀刻
hlkn123的博客
05-09 1537
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻速度快，而各向同性蚀刻(如HF)会向所有方向侵蚀。使用KOH工艺是因为其在制造中的可重复性和均匀性，同时保持了较低的生产成本。异丙醇(IPA)经常添加到溶液中，以改变从{110}壁到{100}壁的选择性，并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物在KOH中都蚀刻缓慢。氧化物可以在KOH蚀刻浴中用作短时间的蚀刻掩模。
氮化镓的大面积光电化学蚀刻
hlkn123的博客
03-17 485
摘要 本文介绍了一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。 介绍 光电化学蚀刻是一种技术，其中材料中电子和空穴的光生增强了材料的化学蚀刻。本文已经对各种半导体材料进行了湿法PEC蚀刻研究，结果表明，湿法PEC蚀刻可以产生高蚀刻速率、良好的各向异性，以及不同掺杂和带隙材料之间的高选择性 。明斯基等人。最近已经证明了在He-Cd激光器(λ = 325nm)的照射下使用KOH和HCl溶液对GaN进行PEC蚀刻的可行性。
《炬丰科技-半导体工艺》半导体扩散工艺
hlkn2020的博客
08-14 734
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：半导体扩散工艺 编号：JFKJ-21-219 作者：炬丰科技 扩散过程: 硅表面通过窗口，然后移动杂质原子从表面进入硅晶体。 1.取代扩散和间隙扩散 2.扩散数学模型: 菲克第一扩散定律 ...
《炬丰科技-半导体工艺》外延成分对 N 面 GaN KOH蚀刻动力学的影响
jfkj2021的博客
11-29 541
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：外延成分对 N 面 GaN KOH蚀刻动力学的影响 编号：JFKJ-21-953 作者：炬丰科技 引言 发光二极管(LED)已成为近30年现代节能照明技术的基础。通过各向异性蚀刻n面氮化镓的蚀增是当今生产蓝白发光二极管(led)的关键方面。表面积和表面角度的数量都增加了，有利于光从发光二极管芯片耦合输出。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的氮化镓叠层结构在非连续掺杂的铀-氮化镓体区发生了变化。2D和三维生长层的不同顺序导致位错密度的变化，这通过光致发光显微镜和x
《炬丰科技-半导体工艺》多晶硅片表面过渡金属污染的影响
hlkn2020的博客
09-11 319
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：多晶硅片表面过渡金属污染的影响 编号：JFKJ-21-482 作者：炬丰科技 网址：半导体工艺资料_半导体清洗工艺_湿法腐蚀工艺_氮化硅的湿法腐蚀_湿法腐蚀工艺参数_炬丰科技 摘要 介绍了一种在切割和等纹理多晶硅晶片表面上进行过渡金属采样的方法，该方法可以在没有洁净室环境的情况下快速轻松地采样。通过ICP-MS分析获得的样品。对样品中从文献中确定的可能最有害的物种进行了测试：Ag、Al、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni 和 Ti。该方法被应用于等织工艺。对
《炬丰科技-半导体工艺》基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻
jfkj2021的博客
01-11 397
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻 编号：JFKJ-21-879 作者：炬丰科技 引言 我们开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术，AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底减薄或去除至关重要，从而提高光提取效率。AlGaN的高选择性作为铝组成的函数的机理可以解释为与在N-极性表面顶部的氧化物/氢氧化物的形成和溶解有关。横截面透射电子显微镜分析最终证明这些小丘与下面的螺纹位错无关。 迄今为止
《炬丰科技-半导体工艺》化学添加剂对KOH 溶液中Si表面反应性的影响
jfkj2021的博客
11-16 154
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：化学添加剂对KOH 溶液中Si表面反应性的影响 编号：JFKJ-21-919 作者：炬丰科技 网址：http://www.wetsemi.com/index.html 介绍 于大多数半导体而言，阳极氧化需要价带空穴。因此，人们期望该反应发生在黑暗中的p型半导体和仅在(超)带隙光照射下的n型半导体。 氢氧化钾溶液中硅的化学蚀刻包括两个主要步骤:氢氧化物催化的硅-氢表面键的转化产生硅-氢氧化物(和二氧化硅)和通过与水的反应破坏超极化的硅。后一步再生表面氢化物。注意到硅蚀刻和
《炬丰科技-半导体工艺》植入物表面的钛纳米级蚀刻
jfkj2021的博客
01-10 223
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：植入物表面的钛纳米级蚀刻 编号：JFKJ-21-362 作者：炬丰科技 摘要 公开了一种形成要植入活骨的植入物的方法。该方法包括使植入物表面的至少一部分粗糙化以产生微米级粗糙化表面的行为。该方法进一步包括将微米级粗糙化表面浸入含有过氧化氢和碱性溶液的溶液中以产生纳米级粗糙化表面的动作，该纳米级粗糙化表面由叠加在微米级粗糙化表面上的纳米点蚀组成。纳米级粗糙表面具有促进骨整合的特性。 发明领域 本发明总体上涉及种植体，尤其涉及具有纳米级表面形貌的牙种植体及其制造方法。 发
《炬丰科技-半导体工艺》不同电解质对多孔氮化镓的影响
hlkn2020的博客
10-14 353
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：不同电解质对多孔氮化镓的影响 编号：JFKJ-21-825 作者：炬丰科技 关键词:电解质；光电化学蚀刻；多孔性 摘要 本文报道了氮化镓在使用四种不同电解质的光电化学蚀刻过程中的性质和行为。测量结果表明，孔隙率强烈依赖于电解质，并高度影响蚀刻样品的表面形态，这已被扫描电子显微镜(SEM)图像揭示。多孔氮化镓样品的光致发光(PL)光谱的峰值强度被观察到增强，并强烈依赖于电解质。在样品中，峰位置差异较小，说明孔隙率的变化对PL峰位移的影响较大，而对峰强...
GaN的晶体湿化学蚀刻
06-28
GaN（氮化镓）是一种重要的III族氮化物半导体材料，广泛应用于高功率电子器件、微波通信和LED照明等领域。在GaN的微纳米加工过程中，传统的干式蚀刻方法，如等离子体蚀刻，虽然普遍采用，但存在明显的缺点。干式蚀刻...
KOH添加量对煤基电极材料结构与性能的影响
06-04
采用KOH-HNO3联合法对自制煤基电极进行改性处理,主要研究了KOH添加量对煤基电极材料结构和吸附性能的影响.采用扫描电子显微镜（SEM）、傅立叶红外光谱（FTIR）和N2吸附法对煤基电极的形貌特征、表面官能团及孔径分布...
表面含氧官能团对活性炭电化学性能的影响 (2006年)
05-18
采用浓硝酸对椰壳活性炭和杏壳活性炭进行液相氧化改性后，制成了以KOH为电解液的超级电容器的炭电极，研究表面含氧官能团在碱性电解液中对电容器电极的电化学性能的影响。运用低温N，吸附、XPS和FTIR表征活性炭孔...
论文研究 - KOH法从石油沥青中合成多孔碳及其表征
05-27
在多孔碳的表面积和产率上评估了活化温度，石油焦与KOH之比（KPR）和活化持续时间的影响。 进行了工艺优化，涵盖了500？C-800？C，2-5和30-120分钟范围内的实验参数。 确定了使产率和BET表面积最大化的最佳工艺条件...
Pb的过量值对溶胶-水热法合成钙钛矿型PZT反铁电陶瓷粉体的影响
02-03
根据课题组前期的实验结果，选取的水热反应温度为180 ℃，水热反应时间为24 h，矿化剂KOH的浓度为3 mol/L，探讨了Pb的过量值对合成PZT陶瓷粉体的影响。实验发现，Pb的过量值过低，不足以补偿反应过程中Pb的损失量，A...
不同溶剂提取宝清褐煤腐植酸的工艺优化及其特性研究-论文
07-08
结果表明：反应温度对目标值影响最大，且不同影响因素之间的交互作用对目标值有一定的影响，KOH提取时反应温度与反应时间的交互作用影响最大，NaOH和Na4P2O7提取时反应温度与溶剂浓度的交互作用影响最大。...
活化温度对无灰煤基活性炭结构及性能的影响-论文
07-08
以无灰煤(HPC)为原料,KOH为活化剂,采用直接活化法制备无灰煤基活性炭(HAC),并在不同活化温度下探究HAC孔结构的衍化规律。结果表明:活化温度较低时,活化过程表现为无规则碳的烧失,同时微晶单元参与反应,片层明显减小,...
表面积对煤基电容炭电化学性能的影响-论文
07-08
以河北无烟煤为原料，KOH为活化剂，采用化学活化法制备具有超高比表面积的煤基电容炭，考察电容炭的比表面积对电容器电化学性能的影响。结果表明：随着碱煤比的增加，所制样品的比表面积、总孔容、中孔率增加。当碱...
物联网-智慧传输-基于微井结构的气体传感器的制备.pdf
07-14
在“微井”结构的制备中，通过KOH湿法刻蚀工艺进行了深入研究，找到了最佳工艺条件，包括30wt%的KOH溶液、80℃的工作温度、冷却回流装置以及磁力搅拌。这些条件确保了较高的刻蚀速率和良好的材料表面质量，减少了...
koh-young aoi参数
最新发布
09-27
Koh Young AOI（自动光学检测）参数是指Koh Young公司推出的自动光学检测设备的一些特定参数和功能。Koh Young AOI被广泛应用于电子制造业，用于检测PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）上的焊接问题和缺陷。 首先，Koh Young AOI参数中的一个重要指标是分辨率。这一参数表示Koh Young AOI设备能够检测到的最小细节或缺陷的大小。较高的分辨率通常意味着设备可以更准确地检测到更小的问题，提高产品的质量。 其次，Koh Young AOI还可以根据需要调整焦距。焦距的调整可以使设备适应不同尺寸和形状的PCB，以及不同焊接工艺的要求。这种灵活性使得Koh Young AOI可以在不同的生产环境中被广泛应用。 此外，Koh Young AOI还提供了先进的光源技术，如多角度照明和调焦照明。这些技术可以从不同的角度和方向对PCB进行照明，以提高检测的准确性和可靠性。通过使用多角度照明和调焦照明，Koh Young AOI可以更好地检测到锡球、焊接缺陷和其他细微问题，从而避免可能的后续故障。 最后，Koh Young AOI还具备先进的算法和图像处理技术。这些技术可以实时分析和处理从PCB上获取的图像数据，将其与预先定义的标准进行比较，并自动检测和分类不合格的零部件或缺陷。这样，Koh Young AOI可以提高生产效率，减少人工错误的发生，并减少产品的不良率。 总结而言，Koh Young AOI参数包括分辨率、焦距调整、先进的光源技术和图像处理技术。它们共同构成了Koh Young AOI设备的强大功能，可以在电子制造业中有效检测和预防PCB上的焊接问题和缺陷，提高产品质量和生产效率。

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