《炬丰科技-半导体工艺》不同电解质对多孔氮化镓的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：不同电解质对多孔氮化镓的影响

编号：JFKJ-21-825

作者：炬丰科技

关键词:电解质；光电化学蚀刻；多孔性

摘要

     本文报道了氮化镓在使用四种不同电解质的光电化学蚀刻过程中的性质和行为。测量结果表明，孔隙率强烈依赖于电解质，并高度影响蚀刻样品的表面形态，这已被扫描电子显微镜(SEM)图像揭示。多孔氮化镓样品的光致发光(PL)光谱的峰值强度被观察到增强，并强烈依赖于电解质。在样品中，峰位置差异较小，说明孔隙率的变化对PL峰位移的影响较大，而对峰强度的影响很大。四种多孔氮化镓在不同溶液下的拉曼光谱表现为声子模式E2（高）、A1(LO)、A1(TO)和E2（低）。在所有样品中，e2都有红移（高），表明多孔氮化镓表面相对于下面的单晶外延氮化镓的应力松弛。在H2SO4：H2O2和氢氧化钾中蚀刻的样品强度较高，然后在HF：硝酸和HF中蚀刻的样品的拉曼和PL强度较高。