《炬丰科技-半导体工艺》基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻
编号：JFKJ-21-879
作者：炬丰科技

引言

我们开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术，AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底减薄或去除至关重要，从而提高光提取效率。AlGaN的高选择性作为铝组成的函数的机理可以解释为与在N-极性表面顶部的氧化物/氢氧化物的形成和溶解有关。横截面透射电子显微镜分析最终证明这些小丘与下面的螺纹位错无关。

迄今为止，氮化铝基板减薄或去除面临许多挑战。例如，由于在AlGaN/AlN界面上没有位错，激光剥离预计不能用于将AlN衬底与假晶AlGaN外延膜分离。此外，反应离子蚀刻(RIE)的蚀刻速率相对较低，会引入等离子体相关的损伤。与这些技术相比，湿法蚀刻具有表面损伤小、成本低的优点，同时易于大面积制造。然而，为了与DUV发光二极管和激光器件制造兼容，更温和和可控的技术是必要的。此外，需要无缺陷选择性蚀刻技术，在这种情况下，可控蚀刻方案可以应用于不同的材料系统，而不管位错密度如何。最近，我们从蚀刻速率、选择性、表面形态和在氢氧化钾水溶液中的化学计量比等方面全面研究了氮化铝和氮化镓单晶样品的湿法蚀刻行为提出了一种与非缺陷相关的蚀刻行为，并证明了在氮化镓上选择性蚀刻氮化铝的潜力。

使用氢氧化钾水溶液获得ⅲ极性和N极性表面的选择性蚀刻。蚀刻温度保持在70℃，氢氧化钾的浓度约为0.18摩尔/升。AlGaN大块晶体目前不可用。因此，使用DUV发光二极管。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在2-in上生长的厚度约为800nm的外延膜来研究AlN和alxga 1xn(0×1)的极性蚀刻选择性。蓝宝石衬底，用x光衍射估计这些薄膜的位错密度约为31010cm。