先进工艺下的SRAM

虽然SRAM目前仍将是主力存储器，但在先进工艺下使用SRAM有了新的挑战。

尽管SRAM的设计年代久远，但它已成为AI的主力存储器。但SRAM无法进一步缩放对功耗和性能目标提出了挑战，迫使系统从硬件创新到重新思考系统整体的布局。 

SRAM及其稍年轻的表亲DRAM之间需要权衡取舍。SRAM通常配置为六个晶体管，这使得其访问时间比DRAM更快，但代价是读取和写入会消耗更多的功耗。相比之下，DRAM采用单晶体管/单电容设计，成本更低。但DRAM会影响性能，因为电容器由于电荷泄漏而需要刷新，有时在内存升温时会自刷新。因此，自推出以来的60多年里，SRAM一直是优先考虑低延迟和可靠性应用的首选存储器。

SRAM对于人工智能至关重要，尤其是嵌入式SRAM。它是性能最高的存储器，你可以将其直接与高密度逻辑集成。

功耗和性能挑战
但是，在跟上CMOS工艺缩放的步伐方面，SRAM却表现平平，这对功耗和性能产生了影响。在传统的工艺缩放中，栅极长度和栅极氧化物厚度一起缩小，以提高性能和对短沟道效应的控制。更稀的氧化物可以在较低的VDD水平下实现性能提升，这对SRAM在减少泄漏和动态功耗方面都是有利的。然而，在最近的工艺节点迁移中，我们几乎没有看到氧化物或VDD水平的进一步缩放。此外，晶体管的几何收缩导致金属互连