持久内存MRAM，FERAM和ReRAM取代DRAM，可能需要十年时间。

持久存储器可以在或很快就会在速度方面与DRAM相匹配，如果这些技术之一可以扩大规模并降低成本，它最终可能会在许多应用程序中取代DRAM。

在最近的一次网络研讨会上，存储网络行业协会（SNIA）的计算、内存和存储倡议（CMSI）审查了MRAM、FERAM和ReRAM等新兴内存技术，并在随后的博客中回答了问题。

这些存储器都是持久的，已经在取代一些既定的内存技术，包括SRAM、NOR闪存和DRAM。但是PC和服务器中使用的主流内存呢？

切入正题，专家认为DRAM最终会让位于一种新的内存类型，但现在判断哪一种会获胜，以及何时会发生，还为时过早。他们最好的猜测是2030年代初。

用持久内存替换DRAM的一个好处是显而易见的；即使没有电源，它也能保持其内容，这意味着丢失数据的风险较小。然而，DRAM已经存在了很长时间，生产成本低，并且可以获得高密度——持久内存需要克服这些障碍。

网络研讨会指出，英特尔在2022年放弃的Optane证明了竞争对手的内存技术在价格上与DRAM（和NAND闪存）竞争是多么困难。

这些新兴内存的许多制造者正在采取的一条路线是嵌入式市场。据专家称，这被视为“新兴内存IP的良好途径”。

网络研讨会上出现的另一个问题是，持久内存是否能够与DRAM的速度相匹配，答案是肯定的。

专家们回应说，SK hynix和Micron展示的铁电存储器是一种非常快的技术，具有非常快的写入周期，应该有充分的理由实现和DRAM相匹配的速度。

MRAM（磁阻RAM）的写入和读取速度可能会达到DRAM速度，读取也可能与ReRAM（抗磁RAM）的DRAM速度相媲美。

一位专家表示，我认为大多数应用程序可能是读密集型的，因此读（性能）是关注点的真正地方，但看起来我们确实会到达那里。

另一个问题可能是耐用性，或者NAND flash熟悉的磨损问题。磨损均衡技术已经开发出来，并被纳入管理SSD的软件中来处理这个问题，因此专家们认为，“只要放在正确的控制器后面，任何新兴的内存都可以以同样低的耐久性工作。”

专家将CXL视为未来首选的接口，因为它可以向主机处理器呈现任何类型的内存。

“CXL的美之一是，你把任何你想用的任何类型的界面放在CXL的另一边，CXL会抹去差异，所以尽管它们可能有不同的性能，但它隐藏在CXL网络后面，”一位专家解释道。

因此，看起来DRAM的日子可以数一数，但即使是专家也不知道到底什么会取代它，或者确切的时间。

DRAM将会有一个过渡，我们不知道它什么时候会发生，它会进入另一种新兴的内存技术。我们已经把它放在20世纪30年代初的图表中，但可能比这晚得多。