激荡四十年，NAND闪存技术的演进

云海芯科

已于 2024-10-21 17:28:32 修改

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分类专栏： NAND FLASH 文章标签：前端算法学习云计算大数据

于 2024-10-21 17:27:54 首次发布

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存储器的抹除流程让人想起相机的闪光灯，于是闪存被命名为“FLASH”。自1984年东芝的舛冈富士雄博士发明闪存技术以来，在四十年的历史长河中，闪存经历了一次又一次的技术变革。

1、NAND Flash芯片结构

SSD是常见的基于NAND Flash的存储器。SSD结构主要由NAND Flash和controller组成，其中NAND flash芯片结构从小到大依次是Page→Block→Plane→LUN（Die）→NAND Flash。下图展示了1Tb TLC NAND闪存中LUN的结构图，包括6个Plane，每个Plane由363个Block组成，每个Block由4176个Page组成。同一条WL上所连接的存储单元（Cell）共同组成Page，Page是NAND闪存中读写操作的最小单位；共用基底的若干个WL共同组成Block，Block是擦除操作的最小单位。