SSTL与POD接口的区别：DDR3到DDR4的信号变革

 

在DDR内存接口技术的发展过程中，从DDR3到DDR4的转变带来了信号接口标准的重大变革。这种变革体现在从SSTL(Stub Series Terminated Logic)到POD(Pseudo Open Drain)的转换上。

这两种接口标准在信号摆幅、参考电压、功耗和稳定性方面有着明显区别。

SSTL接口(DDR3)

SSTL是DDR3使用的接口标准。它的主要特点是：

1. 对称信号摆幅：信号在高低电平之间的摆动是对称的，中点大约在VDDQ/2处
2. 固定参考电压：由于信号摆幅对称，参考电压(Vref)设置为VDDQ/2
3. 外部Vref：参考电压通常在芯片外部生成，通过电阻分压网络产生
4. 双向拉动：高电平由上拉电阻提供，低电平由下拉电阻拉低

在SSTL中，判断信号是高电平还是低电平很直观，只需将接收到的电压与Vref比较即可。

POD接口(DDR4/DDR5)

DDR4引入了POD接口标准，与SSTL相比有显著变化：

1. 非对称信号摆幅：信号偏向VDDQ，低电平不再接近地电位
2. 动态参考电压：由于摆幅不对称，Vref不再是简单的VDDQ/2，而是更靠近0.75*VDDQ
3. 内部Vref生成：参考电压在芯片内部生成，每个芯片可能略有不同
4. 主动下拉，被动上拉：采用弱上拉电阻和强下拉方式

为什么需要Vref训练