AMSET计算不同散射机制下载流子迁移率

最新推荐文章于 2025-07-23 00:19:09 发布

DFT计算杂谈

最新推荐文章于 2025-07-23 00:19:09 发布

阅读量1.8k

点赞数 1

CC 4.0 BY-SA版权

文章标签： linux 服务器 ffmpeg centos

本文链接：https://blog.csdn.net/icehoqion/article/details/131971206

W Li

DFT计算杂谈

AMSET可根据第一性原理输入来计算固态半导体和绝缘体载流子散射率。扩展了现有的极性和非极性电子-声子耦合、离子化杂质和基于各向同性能带结构的压电散射机制的公式以支持高度各向异性的材料。可在高通量计算工作流程中使用，以精确筛选载流子迁移率、寿命和热电功率。

软件下载地址：

https://github.com/hackingmaterials/amset

本文以软件example为基础，整理计算得到不同散射机制下载流子迁移率流程。

amset手册中提到计算考虑的散射机制有

Acoustic deformation potential scattering (ADP)、

Piezoelectric scattering( PIE)、

Polar optical phonon scattering(POP)、

Ionized impurity scattering(IMP)

https://hackingmaterials.lbl.gov/amset/scattering/

以example中GaAs文件夹中的vasprun.xml文件中的信息，可提取出提交计算的INCAR设置内容。

以此为基础，计算使用的INCAR设置为

Global ParametersISTART =  1            (Read existing wavefunction, if there)ISPIN  =  1            (Non-Spin polarised DFT)# ICHARG =  11         (Non-self-consistent: GGA/LDA band structures)LREAL  = .FALSE.       (Projection operators: automatic)ENCUT  =  400        (Cut-off energy for plane wave basis set, in eV)PREC   =  Accurate   (Precision level: Normal or Accurate, set Accurate when perform structure lattice relaxation calculation)LWAVE  = .TRUE.        (Write WAVECAR or not)LCHARG = .TRUE.        (Write CHGCAR or not)ADDGRID= .TRUE.        (Increase grid, helps GGA convergence) LVTOT  = .TRUE.      (Write total electrostatic potential into LOCPOT or not) LVHAR  = .TRUE.      (Write ionic + Hartree electrostatic potential into LOCPOT or not)
Electronic RelaxationISMEAR =  0            (Gaussian smearing, metals:1)SIGMA  =  0.001         (Smearing value in eV, metals:0.2)NELM   =  90           (Max electronic SCF steps)NELMIN =  6            (Min electronic SCF steps)EDIFF  =  1E-08        (SCF energy convergence, in eV)# GGA  =  PS           (PBEsol exchange-correlation) Ionic RelaxationNSW    =  00          (Max ionic steps)IBRION =  -1            (Algorithm: 0-MD, 1-Quasi-New, 2-CG)ISIF   =  3            (Stress/relaxation: 2-Ions, 3-Shape/Ions/V, 4-Shape/Ions)EDIFFG = -2E-02        (Ionic convergence, eV/AA)ISYM =  0           (Symmetry: 0=none, 2=GGA, 3=hybrids) LORBIT =11

在文件夹README.md文件中作者提到计算所使用的为Γ中心的17x17x17 KPOINTS

INCAR中需要设置LWAVE = .TRUE. 以获得WAVECAR，

amset wave

然后获得wavefunction.h5文件，作为后续amset运行的输入文件。

可手动编写一个settings.yaml或python脚本执行amset计算，获得材料能带、态密度、弹性常数、电运输性质（包括电导率，Seebeck系数，迁移率等）。同时可设置考虑不同散射机制下的迁移率的计算。

example中GaAs文件夹中的settings.yaml文件如下，

# general settingsdoping: [-3.e13]temperatures: [201, 290, 401, 506, 605, 789, 994]bandgap: 1.33scattering_type: auto
# electronic_structure settingsinterpolation_factor: 50
# material settingsdeformation_potential: [1.2, 8.6]elastic_constant: 139.7high_frequency_dielectric: 10.32pop_frequency: 8.16static_dielectric: 12.18
# performance settingsmobility_rates_only: truewrite_mesh: true

调用执行命令为

amset run

可自动读取并计算。后续画图可执行

amset plot rates mesh_99x99x99.h5

该文件夹中存在GaAs.py脚本，可直接python执行完成计算和绘图过程，内容如下，使用时请注意vasprun.xml文件路径

import warnings
from amset.core.run import Runnerfrom amset.plot.rates import RatesPlotter
warnings.simplefilter("ignore")
settings = {    # general settings    "doping": [-3e13],    "temperatures": [201, 290, 401, 506, 605, 789, 994],    "bandgap": 1.33,    # electronic_structure settings    "interpolation_factor": 50,    # scattering rate settings    "deformation_potential": (1.2, 8.6),    "elastic_constant": 139.7,    "donor_charge": 1,    "acceptor_charge": 1,    "static_dielectric": 12.18,    "high_frequency_dielectric": 10.32,    "pop_frequency": 8.16,    # performance settings    "mobility_rates_only": True,    "write_mesh": True,}

if __name__ == "__main__":    runner = Runner.from_vasprun("vasprun.xml.gz", settings)    amset_data = runner.run()
    plotter = RatesPlotter(amset_data)    plt = plotter.get_plot()    plt.savefig("GaAs_rates.png", bbox_inches="tight", dpi=400)