《炬丰科技-半导体工艺》RCA清洗系统及清洗液自适应预测温度

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：RCA清洗系统及清洗液自适应预测温度控制
编号：JFHL-21-1036
作者：炬丰科技

引言

在半导体制造工序的硅晶圆的清洗中，RCA清洗法被很多企业使用。RCA清洗方法是清洗硅片的行业标准方法，其中清洗溶液的温度控制对于稳定的清洗性能很重要，但它涉及困难，许多清洗溶液显示非线性和时变的放热化学反应，由于清洗系统具有处理腐蚀性清洗溶液的特殊设备，系统具有长而波动的时间滞后等。在这里，我们首先提出了一个系统的热模型，其中通过DSC（差分扫描量热法）方法，我们分析了清洗溶液的放热化学反应，如SPM（硫酸/过氧化氢混合物）、APM（氨/过氧化氢混合物）和HPM（盐酸/过氧化氢混合物）。
为了控制解的温度，我们使用自适应预测控制器，其中使用自适应方法来处理非线性和时变的放热反应，预测方法是为了克服时间滞后上的问题。进一步，设计了限制超调和消除稳态误差的目标轨迹，并引入了一种新的虚拟采样方法，以减少所需的内存大小和计算时间。我们展示了该热模型的有效性，并通过计算机模拟和对实际系统的控制，验证了该控制器的性能。

实验

在进行模拟实验以及实机实验之前，使用与图3表示特性的SPM相对应的控制对象模型，以控制区间8000秒为1次试行，进行了共计5次的控制模拟实验。据此，进行了离散模型M的更新，以该更新后的M为初始值，进行了下述的模拟实验以及实机实验。在此，由于第2次试行以后得到了与下述结果相同程度的控制性能，因此可以认为M在第1次试行结束时基本收敛。并且，在全部试行中，如果不使T1的值增大到一定程度以上，则控制量为控制量引起了容许误差范围以上的超调。另一方面，在使用了同定速度比本方法更快的神经网络的模型切换型适应同定方法的实验中，即使不使用T1也能得到充分的控制性能。本文中说明的适应同定在第2次试验中控制性能得到了改善，其有效性得到了确认，但是可以说在各试验中其适应速度赶不上放热反应。

对图3表示特性的控制对象模型进行控制的结果如图5(a)所示。这里的计算使用开始控制的t=454秒以后的数据进行，需要注意的是，之前的图中的数据没有意义。另外，在t=5000秒时，作为干扰，强制改变了液体温度和液体的性质。这是为了调查与此相同程度的