《炬丰科技-半导体工艺》 双异质结双极晶体管的加速振荡

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章： 双异质结双极晶体管的加速振荡
编号：JFKJ-21-1161
作者：华林科纳

四元基极双异质结双极晶体管(DHBT)有大于截止频率的最大振荡(fMAX)，通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长四元碱由分级砷化镓铟锑化物组成。向砷化镓中加入铟可以改善电子传输特性，如迁移率和薄层电阻。GaAsSb的导带有两种类型的波谷——一种在零波矢(点)上，另一种在晶体结构的“l”方向上。电子可以被捕获在左旋谷中，从而降低性能。考虑到DHBT更高的带宽结构，性能改进机制是减少盖纳萨布基地的L谷人口，以及相关的更容易收集到InP中。
认为该器件有望在亚毫米波射频集成电路应用中实现高线性度、高效率放大。
在2英寸半绝缘磷化铟上进行金属有机化学气相沉积(表1)。碳©用于基区的p掺杂，通过恒定的四溴化碳前体通量实现。GainAsSb组合物的分级导致了car- bon吸收的变化，随着In含量的增加而降低，给出了在3.1x1019/cm3和8.1x1019/cm3之间的线性浓度分级。

该器件设计为发射极和基极之间的ⅰ型对准以及基极和集电极之间的ⅱ型对准。ⅱ型排列避免了阻挡电子流入收集器。排列类型ⅰ和ⅱ描述了不同材料成分之间异质结处的导带和价带如何变化。在第一类比对中，两个条带的方向相反，而在第二类比对中，条带的方向相同。分布式哈希表是在使用发射极和基极接触作为蚀刻掩模的自对准三台面工艺中制造的。发射极和基极接触分别由钛/铂/金和钯/镍/铂/金组成。蚀刻包括干法和湿法。原子层氧化铝的沉积用于发射极侧壁和非本征基极表面的钝化。
集电极台面是使用湿法蚀刻生产的。集电极台面的底切降低了外部基极-集电极电容。探针焊盘是通过金属蒸发和基于聚四氟乙烯的低温回蚀和平面化工艺制造的。与更传统的苯并-氯丁烯(BCB)聚合物相比，聚四氟乙烯具有更低的介电常数(1.9比2.7)，通过降低对位电容，允许更高速的信号传输和切换。测试了一个发射面积为0.3 mx3.5 m的设备。基极和集电极电流理想值分别为1.78和1.04。峰值共发射极电流增益为16。等离子蚀刻损伤降低了增益。仅用湿法蚀刻制造的较大器件获得高达32的增益。当集电极电流密度为1kA/cm2 (0.01mA/ m2)时，共发射极击穿发生在5.1V。70mV的失调电压被描述为“非常低”。
高达50千兆赫的射频测量给出了外推最大振荡(fMAX)和截止频率(fT)，分别为784千兆赫和547千兆赫(图1)。集电极-发射极电压偏置点(VCE)为1.0V，集电极电流为9.1mA/ m2。标准去嵌入提供816GHz fMAX和552GHz fT。基于砷化镓的分子束外延器件已经实现了670千兆赫/185千兆赫的fT/fMAX性能。金属有机化学气相沉积分级基底分布式哈希表具有时钟高达513千兆赫/637千兆赫。

图1短路电流增益(|h21|2)和梅森单边增益(U)在0.2千兆赫和50千兆赫之间测量。1.0V VCE时，fT和fMAX对集电极电流的嵌入依赖性。从射频测量中提取的总基极电阻总计为RB = 25.3，2.8的接触贡献对应于0.31- m2的基极接触电阻。因此，在本装置中，fMAX受到基片电阻的限制。