书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:光刻胶的化学性质
编号:JFKJ-21-1186
作者:华林科纳
一般的光致抗蚀剂有各种各样的报告,但是与现在在第一线使用的光致抗蚀剂相比,还没有开发出特别优秀的光致抗蚀剂。另一方面,从使用方面来看,光致抗蚀剂的条件越来越严格。要得到满足所有这些条件的光致抗蚀剂是很困难的,在现状下,根据目的进行细节的改良并使用。光致抗蚀剂的种类、应用面有很多,下面就最近用于半导体·集成电路制作的光致抗蚀剂的化学性质及其周边进行解说。
半导体·集成电路以超高频晶体管、高密度、超高密度存储器为首,应用光刻法制作的工序也变得复杂化。首先,作为基本的掩模制作变得困难,为了制作硬掩模,对光致抗蚀剂的条件当然也很严格。另外,晶圆工序中使用的光致抗蚀剂为了提高解像力,也要制作薄膜。 对于不产生漏孔、解像力、断片的提高、粘着力、显影性等,要求更加优越,要求更加具体和严格的条件。
除了以上的技术方面以外,石油产品的价格上涨还波及到光致抗蚀剂、其附属品、光伏工艺上的辅助材料的成本上升,除了这个的吸收对策以外,公害、防灾等的对策,或者IC自由化对策和周围都在朝着困难的方向发展,今后才是真正的关键时刻,我们也希望在光致抗蚀剂材料及其周围,虽然是微薄的力量,但也能起到一定的作用。
由于醌叠氮化物正型光致抗蚀剂可以容易地获得高分辨率,因此它将作为获得精细图案的有力手段被广泛使用。然而,在引入晶片工艺时,必须注意以下几点:在微细图案的蚀刻中,今后等离子蚀刻、溅射蚀刻等干燥的方法将变得有利,使用的机会将会增加。包括显影液在内的光致抗蚀剂也希望是高纯度的。参照表2。