电子技术——BJT崩溃和温度效应
本节我们简单介绍两种非理想的效应:一是pn结电压崩溃,二是 β \beta β 对温度的依赖。
晶体管崩溃
之前我们在半导体的章节就学习过,pn结存在崩溃电压,这对于EBJ和CBJ也同理。考虑下面的共基极电路:
我们假设发射极电流为零,逐渐增大
v
C
B
v_{CB}
vCB ,此时达到BJT的崩溃电压
B
V
C
B
O
BV_{CBO}
BVCBO 则会发生BJT的崩溃效应,集电极电流迅速增大:
对于
I
E
>
0
I_E > 0
IE>0 的情况,崩溃效应发生在小于
B
V
C
B
O
BV_{CBO}
BVCBO 的时候。一般的,
B
V
C
B
O
BV_{CBO}
BVCBO 大约在 50V 左右。
对于共发射极电路,崩溃电压记为 B V C E O BV_{CEO} BVCEO ,这里的崩溃仍然是雪崩类型,下面是共发射极电路雪崩效应的特性曲线:
共发射极电路的崩溃情况和共基极电路有一些微妙的不同,我们不打算在这里解释其原因。值得注意的是
B
V
C
E
O
BV_{CEO}
BVCEO 一般为
B
V
C
B
O
BV_{CBO}
BVCBO 的一半,在一些datasheet中,
B
V
C
E
O
BV_{CEO}
BVCEO 称为 保持电压 。
一般来说,共发射极电路和共基极崩溃不会损坏BJT,只要不超过最大允许电压电流。但是对于EBJ结稍有特殊,EBJ的雪崩发生在 B V E B O BV_{EBO} BVEBO 要小于 B V C B O BV_{CBO} BVCBO ,一般情况下 B V E B O BV_{EBO} BVEBO 在 6-8V左右,并且将会造成BJT永久损坏,并且 β \beta β 的值将会永久减小。因此EBJ结基本不能作为为齐纳二极管来使用。
温度效应
在本章我们假设 β \beta β 是只和温度和二极管本身有关的常数,但是实际上 β \beta β 的值和DC偏置有关,如图:
上图展示了
β
\beta
β 与温度和DC偏置的关系,我们不打算解释其原因。