文章探讨了BJT(BipolarJunctionTransistor)的两种非理想效应：pn结的崩溃电压和β对温度的依赖。在共基极和共发射极电路中，BJT的崩溃电压不同，且共发射极电路的崩溃电压通常为共基极的一半。EBJ的崩溃可能导致永久性损坏。此外，β的值不仅与温度有关，还受DC偏置影响。
电子技术——BJT崩溃和温度效应
本节我们简单介绍两种非理想的效应：一是pn结电压崩溃，二是 β \beta β 对温度的依赖。
晶体管崩溃
之前我们在半导体的章节就学习过，pn结存在崩溃电压，这对于EBJ和CBJ也同理。考虑下面的共基极电路：
我们假设发射极电流为零，逐渐增大
v
C
B
v_{CB}
vCB ，此时达到BJT的崩溃电压
B
V
C
B
O
BV_{CBO}
BVCBO 则会发生BJT的崩溃效应，集电极电流迅速增大：
对于
I
E
>
0
I_E > 0
IE>0 的情况，崩溃效应发生在小于
B
V
C
B
O
BV_{CBO}
BVCBO 的时候。一般的，
B
V
C
B
O
BV_{CBO}
BVCBO 大约在 50V 左右。
对于共发射极电路，崩溃电压记为 B V C E O BV_{CEO} BVCEO ，这里的崩溃仍然是雪崩类型，下面是共发射极电路雪崩效应的特性曲线：
共发射极电路的崩溃情况和共基极电路有一些微妙的不同，我们不打算在这里解释其原因。值得注意的是
B
V
C
E
O
BV_{CEO}
BVCEO 一般为
B
V
C
B
O
BV_{CBO}
BVCBO 的一半，在一些datasheet中，
B
V
C
E
O
BV_{CEO}
BVCEO 称为 保持电压 。
一般来说，共发射极电路和共基极崩溃不会损坏BJT，只要不超过最大允许电压电流。但是对于EBJ结稍有特殊，EBJ的雪崩发生在 B V E B O BV_{EBO} BVEBO 要小于 B V C B O BV_{CBO} BVCBO ，一般情况下 B V E B O BV_{EBO} BVEBO 在 6-8V左右，并且将会造成BJT永久损坏，并且 β \beta β 的值将会永久减小。因此EBJ结基本不能作为为齐纳二极管来使用。
温度效应
在本章我们假设 β \beta β 是只和温度和二极管本身有关的常数，但是实际上 β \beta β 的值和DC偏置有关，如图：
上图展示了
β
\beta
β 与温度和DC偏置的关系，我们不打算解释其原因。
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