电子技术——BJT崩溃和温度效应

电子技术——BJT崩溃和温度效应

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本节我们简单介绍两种非理想的效应:一是pn结电压崩溃,二是 β \beta β 对温度的依赖。

晶体管崩溃

之前我们在半导体的章节就学习过,pn结存在崩溃电压,这对于EBJ和CBJ也同理。考虑下面的共基极电路:

电路
我们假设发射极电流为零,逐渐增大 v C B v_{CB} vCB ,此时达到BJT的崩溃电压 B V C B O BV_{CBO} BVCBO 则会发生BJT的崩溃效应,集电极电流迅速增大:

崩溃效应
对于 I E > 0 I_E > 0 IE>0 的情况,崩溃效应发生在小于 B V C B O BV_{CBO} BVCBO 的时候。一般的, B V C B O BV_{CBO} BVCBO 大约在 50V 左右。

对于共发射极电路,崩溃电压记为 B V C E O BV_{CEO} BVCEO ,这里的崩溃仍然是雪崩类型,下面是共发射极电路雪崩效应的特性曲线:

共发射极电路
共发射极电路的崩溃情况和共基极电路有一些微妙的不同,我们不打算在这里解释其原因。值得注意的是 B V C E O BV_{CEO} BVCEO 一般为 B V C B O BV_{CBO} BVCBO 的一半,在一些datasheet中, B V C E O BV_{CEO} BVCEO 称为 保持电压

一般来说,共发射极电路和共基极崩溃不会损坏BJT,只要不超过最大允许电压电流。但是对于EBJ结稍有特殊,EBJ的雪崩发生在 B V E B O BV_{EBO} BVEBO 要小于 B V C B O BV_{CBO} BVCBO ,一般情况下 B V E B O BV_{EBO} BVEBO 在 6-8V左右,并且将会造成BJT永久损坏,并且 β \beta β 的值将会永久减小。因此EBJ结基本不能作为为齐纳二极管来使用。

温度效应

在本章我们假设 β \beta β 是只和温度和二极管本身有关的常数,但是实际上 β \beta β 的值和DC偏置有关,如图:

温度效应
上图展示了 β \beta β 与温度和DC偏置的关系,我们不打算解释其原因。

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