一、激励源概述
1.定义
激励源是电磁仿真中驱动结构模型的输入信号源,用于产生电磁响应。必须至少设置一个激励源才能运行仿真。
2. 分类与功能
二、端口激励详解
1. 波导端口 (Waveguide Port)
(1)原理:模拟无限长波导,通过模式匹配吸收反射波,仿真精度高。
(2)设置要点:
①覆盖传输线横截面全部场模式,尺寸需大于传输线截面积。
②默认输入功率为1W(可调整)。
(3)应用:波导滤波器、同轴连接器、微带线/带状线电路。
(4)注意事项:
①端口过大会激发高次模(导致时域能量衰减缓慢,频谱毛刺)。
②分析后需检查端口场分布,确认模式合理性。
2. 离散端口 (Discrete Port)
(1)原理:由内阻电流源组成,定义简单(仅需连接两个管脚)。
(2)设置要求:
①电长度 <,避免相位误差。
②类型:离散边端口、离散表面端口。
(3)应用:小型天线、PCB板馈电点。
三、场源激励详解
1. 平面波激励 (Plane Wave)
①特点:模拟无限远处入射的均匀平面波,仅用于场分布分析(如RCS一类的散射问题);只分析远区场,不计算S参数。
②设置条件:需配合开放边界(Open)。
2. 远区场/近区场激励
①远区场:分析天线辐射方向图、增益等参数。
②近区场:研究电磁耦合、近场干扰问题。
(只分析远区场,不计算S参数。)
四、传输线端口平面设置
1. 微带线波导端口
①尺寸规则:端口宽度需覆盖准TEM模场分布,建议K=5~10(随微带线宽高比w/h增大而调整)。
②注意:端口需要足够大以覆盖准TEM模的重要部分;但端口过大引发高次模 → 仿真结果出现频谱毛刺。
③经验值:W
2. 共面波导 (Coplanar Waveguide)
①共面线/共面波导
②模式数:
五、负载——Lumped Element
六、总结
1、端口激励 (Port)
①子类型
离散端口 (Discrete Ports)、波导端口 (Waveguide Ports)
②功能特性:
支持S参数分析、支持场分布结果输出
2、场源激励 (Field Source)
①子类型
平面波激励 (Plane Waves)
远区场激励 (Farfield Sources)
近区场激励 (Nearfield Sources)
②功能特性
仅支持场分布结果输出
3、其他关键参数
①波导端口尺寸设置:根据经验值设置
②负载元件 (Lumped Element):电容、电感、电阻等
注:端口激励类可同时获取频域和场域结果,场源激励类仅输出场分布。波导端口设置需特别注意模式匹配问题。