晶体三极管的输入特性和输出特性

 

一,晶体管的共射输入特性

       

 

下图为输入特性曲线:

  1. 当UCE = 0时,相当于集电极与发射极短路,即发射结与集电结并联。因此,输入特性曲线与PN结的伏安特性类似,呈指数关系。
  2. 当UCE增大时,曲线将右移。

        

对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以近似UCE大于1V的所有输入特性曲线。

二,输出特性

      

 

下图为输出特性曲线:

对于每一个确定的IB,都有一条曲线,输出特性的一族曲线。

  1. 截至区:发射结电压小于开启电压,且集电结反向偏置。
  2. 放大区:发射结正向偏置且集电结反向偏置。
  3. 饱和区:发射结与集电结均处于正向偏置。

                     

### 如何在Multisim中模拟晶体三极管输入输出特性曲线 #### 准备工作 为了准备仿真环境,在Multisim软件中打开一个新的电路设计文件。确保安装了最新的库文件支持包以便可以访问到所有的元件模型。 #### 构建基础电路 构建一个简单的共射放大电路作为测试平台来观察三极管的行为[^4]。此电路通常包括电源、电阻以及用于连接基极集电极的偏置网络,还有负载电阻RL连接至集电极端子。 ```circuitikz \begin{circuitikz}[american voltages] \draw (0,0) to[R=$R_B$, o-*] ++(0,-2) node[nigbt](Q){} % 基极电阻RB (Q.C) to[R=$R_C$,*-o] ++(0,2); % 集电极电阻RC \draw (-1,-2) to[short,o-] ++(-1,0) % 输入端口 to[V,v<=$V_{in}$] ++(0,3); \draw (Q.E) to[short,-*] ++(0,-1,0) -- (-2,-2); \draw (Q.C) to[short,*-] ++(2,0) % 输出端口 to[R=$R_L$, *-o] ++(0,-2); \node at (0,-3) {GND}; \end{circuitikz} ``` 注意:实际绘制时应使用Multisim内的图形编辑工具而非LaTeX代码。 #### 设置参数扫描 对于输入特性曲线,设置直流扫描(DC Sweep)功能以改变基极电流IB或基极-发射结电压VB-E;而对于输出特性,则调整集电极-发射结间电压VC-E保持恒定的同时逐步增加基极电流IB。这些操作可以通过Multisim中的Analysis菜单下的DC Sweep Analysis选项完成配置[^5]。 #### 运行仿真并记录数据 启动仿真过程后,查看产生的图表窗口内显示的结果。这里会看到不同条件下Ic随Vce变化的趋势(即输出特性),以及当固定某个Vce值时Ib的变化情况(对应于输入特性)。保存所得的数据点供后续分析之用。 #### 结果解释 从获得的曲线上可以看到,随着基极电流增大,集电极电流也会相应增长,这体现了三极管的电流增益β特性。而在特定范围内,即使很小幅度地调节基极电压也能引起较大的集电极电流变动,说明了其良好的控制性能[^1]。
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