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本文探讨了MOSFET驱动电阻Rg的选择，解释了其与走线电感L如何影响驱动电压和电流波形，强调了Rg在过阻尼和临界阻尼状态的重要性。通过分析上升时间和电容Cgs的关系，提出了2Rg*Cgs作为上升时间的近似估算，并指出在OFF状态下，Rg应尽量小以快速泻放栅极电荷。还提到了二极管并联在Rg上用于抑制谐振尖峰的作用。实际应用中还需考虑Cgd的影响。
等效驱动电路：
L 为 PCB 走线电感， 根据他人经验其值为直走线 1nH/mm， 考虑其他走线因素， 取L=Length+10（nH）， 其中 Length 单位取 mm。
Length+10（nH）， 其中 Length 单位取 mm。
Rg 为栅极驱动电阻， 设驱动信号为 12V 峰值的方波。
Cgs 为 MOSFET 栅源极电容， 不同的管子及不同的驱动电压时会不一样， 这儿取 1nF。
VL+VRg+VCgs=12V（Vdrive）
令驱动电流:
(Id=dQ/dt=dCU/dt)
得到关于 Cgs 上的驱动电压微分方程：
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