关于逆F类的仿真

已于 2022-05-12 11:50:22 修改
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分类专栏： 常规功放设计 文章标签： 射频
于 2021-05-05 20:33:40 首次发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/kexuedalao/article/details/116427508
版权
本文详细介绍了逆F类功率放大器的设计过程，包括DC_IV分析、偏置设计、稳定性设计、谐波匹配网络、负载牵引、输入输出匹配、小信号分析和大信号仿真，以及电压电流波形验证。重点讨论了如何通过优化实现高效能和稳定性，并提供了实际电路设计和仿真结果。
摘要由CSDN通过智能技术生成

我们原来有讲述过F类PA的仿真过程，这里我们再去介绍一个关于逆F类功放的设计过程。（与我们之前介绍的F类功放在牵引上和输入匹配的设计上有所区别）

可以参考论文：高效率GaN HEMT F类逆F类功率放大器研究和设计

01 DC_IV

首先要对管子的模型进行直流静态工作点分析，管子采用CGH40010F，工作频点为2140MHz。
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
选取栅压为-2.8V，漏级电压为28V。

02 偏置设计

通常情况下，我们可以按照下面如图所示的方式进行偏置设计，一般用（a）或者（d）具体理由我们看论文中的讲解。
在这里插入图片描述
这里的设计我们采用设计频段的四分之一波长线和扇形微带线进行组合，起到遏制交流的作用。其原理图和结果如下图所示：
在这里插入图片描述

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硬件老钢丝
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