我们原来有讲述过F类PA的仿真过程,这里我们再去介绍一个关于逆F类功放的设计过程。(与我们之前介绍的F类功放在牵引上和输入匹配的设计上有所区别)
可以参考论文:高效率GaN HEMT F类逆F类功率放大器研究和设计
01 DC_IV
首先要对管子的模型进行直流静态工作点分析,管子采用CGH40010F,工作频点为2140MHz。
选取栅压为-2.8V,漏级电压为28V。
02 偏置设计
通常情况下,我们可以按照下面如图所示的方式进行偏置设计,一般用(a)或者(d)具体理由我们看论文中的讲解。
这里的设计我们采用设计频段的四分之一波长线和扇形微带线进行组合,起到遏制交流的作用。其原理图和结果如下图所示: