FLYBACK电路
2023年7月12日
#elecEngeneer
又称反激式变换器。广泛应用于高压和离线供电电源,能做到恒功率输出,不需要输出电感,节省体积。升降压变换器:
V
o
=
N
s
N
p
⋅
D
1
−
D
V
i
V_o=\frac{N_s}{N_p}\cdot\frac{D}{1-D}V_i
Vo=NpNs⋅1−DDVi
D
D
D:占空比,
D
∈
(
0
,
1
)
D\in (0, 1)
D∈(0,1),电压极性为正。
N
p
N_p
Np 为原边绕组匝数,
N
s
N_s
Ns 为副边绕组匝数。
1. FLYBACK电路的基本原理
FLYBACK电路的工作过程不好理解,这里通过变压器给出解释。耦合电感的同名端由互感磁通的方向决定,从同名端流入的电流产生的互感磁通方向应相同。同时,变压器输入侧从同名端流入电流,输出侧也会从同名端流出电流。往耦合电感中间加入铁芯,可以提高耦合系数,互感几乎和自感相等,即得到了变压器。如果铁芯存在气隙,则由磁路的欧姆定律,磁位降大多集中在气隙部分,也就是气隙部分储存了磁场的能量。
如上图,电感两端电压可以突变,设输入侧加电压,输入侧产生从同名端流入的电流,磁通开始建立,输出边绕组为了抵抗磁通的建立会产生从同名端流出的电流。若设绕组从同名端流入的电流为正,则输入电流与输出电流反相。下面回到反激式变换器:
开关S导通时,输入侧原边绕组
N
p
N_p
Np在正向电压
V
i
V_i
Vi作用下产生一个增加的正向电流
i
i
i_i
ii,正向电流产生磁场,磁场能量储存在气隙,由楞次定律,副边绕组产生抵御磁场增加的感应电动势(相当于电源),但二极管截住了电流,所以副边没有电流,能量没有传递。开关S关断时,原边绕组强制截流,电流为0,由于磁场不能突变,副边绕组产生抵御磁场减小的感应电动势,原边绕组也一样。此时变压器两端电压的极性与开关导通时相反,二极管导通,磁场能量传递到输出侧。
反激式变换器的能量是分步传递的,开关导通时储存能量,开关关断时传递能量。正激式变换器则在开关导通时传递能量。
反激式变换器与BUCK-BOOST电路很像,其实就是将BUCK-BOOST电路的电感拆开成变压器,并将原副边极性反转。
在开关管关断瞬间,原边剩余的电流给MOS管的结电容充电,导致开关管上有较大的尖峰电压,为了减小尖峰电压,原边加入了阻容网络,原边二极管提供了低阻值的通路,同时也阻挡了开关管关断时反射电压在阻容网络上形成回路。
FLYBACK多路输出时的分析
FLYBACK主要考虑的因素有副边二极管的导通压降与导通电阻。二极管导通电阻在重载时(电流大,等效负载电阻小)会分压,导致输出电压降低。在CCM时,由秒伏平衡有:
V
i
D
T
s
=
V
o
e
q
p
(
1
−
D
)
T
s
V_iDT_s=V_{o\,eq\,p}(1-D)T_s
ViDTs=Voeqp(1−D)Ts
V
o
e
q
p
V_{o\,eq\,p}
Voeqp 为原边绕组在开关关断时的反射电压(感应电动势)。
V
o
e
q
p
=
V
i
D
1
−
D
V_{o\,eq\,p}=\frac{V_iD}{1-D}
Voeqp=1−DViD
再乘以匝数比可得到开关关断时副边绕组的电压:
V
s
(
n
)
=
V
i
D
1
−
D
N
s
(
n
)
N
p
V_{s(n)}=V_i\frac{D}{1-D}\frac{N_{s(n)}}{N_p}
Vs(n)=Vi1−DDNpNs(n)
副边绕组的电压减去二极管导通压降
V
F
V_F
VF,由于有电容支撑,所以得到的居寺和副边的输出电压:
V
o
(
n
)
=
V
i
D
1
−
D
N
s
(
n
)
N
p
−
V
F
V_{o(n)}=V_i\frac{D}{1-D}\frac{N_{s(n)}}{N_p}-V_F
Vo(n)=Vi1−DDNpNs(n)−VF
再考虑二极管导通电阻的分压,有:
V
o
(
n
)
=
V
i
D
1
−
D
N
s
(
n
)
N
p
−
V
F
−
V
o
(
n
)
R
⋅
R
F
1
−
D
V_{o(n)}=V_i\frac{D}{1-D}\frac{N_{s(n)}}{N_p}-V_F-\frac{V_{o(n)}}{R}\cdot\frac{R_F}{1-D}
Vo(n)=Vi1−DDNpNs(n)−VF−RVo(n)⋅1−DRF
V
o
(
n
)
=
V
s
(
n
)
−
V
F
1
+
R
F
/
[
R
(
n
)
(
1
−
D
)
]
V_{o(n)}=\frac{V_{s(n)}-V_F}{1+R_F/[R_{(n)}(1-D)]}
Vo(n)=1+RF/[R(n)(1−D)]Vs(n)−VF
需要明确,对于每一路输出绕组而言,再电压上都有相同的关系,仅与原边反射变压与变比有关,变比确定,则占空比决定了副边电压。下面求多路输出下临界模式的占空比,由于电压的关系确定,所以可以从能量的角度得出输入电流:
V
i
I
i
=
∑
i
=
1
n
(
V
o
(
i
)
R
(
i
)
)
2
(
R
(
i
)
+
R
F
1
−
D
)
V_iI_i=\sum_{i=1}^n(\frac{V_{o(i)}}{R_{(i)}})^2(R_{(i)}+\frac{R_F}{1-D})
ViIi=i=1∑n(R(i)Vo(i))2(R(i)+1−DRF)
考虑了二极管导通电阻带来的损耗。而临界模式要求:
I
p
>
Δ
i
p
2
=
V
i
D
T
s
2
L
p
I_p\gt \frac{\Delta i_p}{2}=\frac{V_iDT_s}{2L_p}
Ip>2Δip=2LpViDTs
I
p
=
I
i
D
I_p=\frac{I_i}D
Ip=DIi
通过联立这几个公式就可以解出占空比的范围。当然,直接手推非常麻烦,而占空比的取值仅在
0
{ 0 }
0 到
1
{ 1 }
1 之间,所以我们通过matlab编程求解。设有
3
{3}
3 路输出,
V
i
=
300
V
V_i=300V
Vi=300V,
D
=
0.6
D=0.6
D=0.6 ,
L
p
=
500
μ
H
L_p=500\mu H
Lp=500μH,
V
F
=
0.9
V
V_F=0.9V
VF=0.9V,
R
F
=
0.3
Ω
R_F=0.3\Omega
RF=0.3Ω,
f
s
w
=
65000
Hz
f_{sw}=65000\text{Hz}
fsw=65000Hz,原边绕组
89
{89}
89 匝,副边绕组分别为
13
、
19
、
6
{13、19、6}
13、19、6 匝,对应负载电阻
7.5
、
1000
、
16.7
{7.5、1000、16.7}
7.5、1000、16.7 欧姆。
clc; clear
syms N_p N_s1 N_s2 N_s3
syms V_i R_1 R_2 R_3 R_F V_F I_i
syms D T_sw L_p
V_s1 = V_i*D/(1-D)*N_s1/N_p;
V_s2 = V_i*D/(1-D)*N_s2/N_p;
V_s3 = V_i*D/(1-D)*N_s3/N_p;
V_o1 = (V_s1-V_F)/(1+R_F/(R_1*(1-D)));
V_o2 = (V_s2-V_F)/(1+R_F/(R_2*(1-D)));
V_o3 = (V_s3-V_F)/(1+R_F/(R_3*(1-D)));
pretty(V_o1)
eq1 = (V_o1/R_1)^2*(R_1+R_F/(1-D))+(V_o2/R_2)^2*(R_2+R_F/(1-D))+...
(V_o3/R_3)^2*(R_3+R_F/(1-D))-V_i*I_i;
[I_i] = solve(eq1, I_i);
I_i = simplify(I_i);
pretty(I_i)
I_i = subs(I_i, {N_p, N_s1, N_s2, N_s3, V_F, R_F, V_i}, {89, 13, 19, 6, 0.9, 0.3, 300});
I_i = subs(I_i, {R_1, R_2, R_3}, {7.5, 1000, 16.7}); % 代入数值
I_i = collect(I_i, D);
I_i
I_Lp = I_i/D;
delta_I_Lp = 300*D/500e-6/65000;
cond = I_Lp > delta_I_Lp/2;
for i = 0.001: 0.001: 0.999
if subs(cond, D, i)
disp(i)
end
end
可以解得在 0 < D < 0.007 0<D<0.007 0<D<0.007 与 0.573 < D < 1 0.573<D<1 0.573<D<1 时为连续模式。