圆锥形SiC纳米磨削单晶硅源代码

最新推荐文章于 2022-11-09 13:37:58 发布

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分类专栏： lammps模拟案例文章标签： lammps 分子动力学模拟高熵合金 lammps培训分子动力学

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本文详细介绍了利用lammps进行圆锥形SiC纳米磨削单晶Si的分子动力学模拟过程。首先，通过建模将单晶硅划分为边界区、恒温区和牛顿区，其中磨粒设定为圆锥形SiC。接着，固定边界原子，设定磨粒为刚性，并进行能量最小化。然后，设置恒温区温度至300K，确定磨粒的移动方向和速度。最后，输出轨迹文件并记录三个方向的受力情况。

摘要由CSDN通过智能技术生成

本文以圆锥形SiC磨粒磨削单晶Si为例，介绍纳米磨削模拟过程以及力的输出。
在这里插入图片描述

模拟流程：

（1）建模：单晶硅分为三个区域：边界区、恒温区、牛顿区。磨粒为圆锥形，材料为SiC。

（2）模拟初始化，固定边界原子，设置磨粒原子为刚性原子。

（3）能量最小化，对系统进行驰豫，使体系能量达到最低。

（4）设置恒温区温度为300K。

（5）设置系综，设置磨粒移动方向和速度

（6）输出轨迹文件、输出三个方向受力。

#建立初始条件

dimension  3                                     

boundary   s p s                                    

units metal    

atom_style  atomic

neighbor