闪存特性总结

• 闪存是非易失性存储，掉电数据不丢失。其原因为，闪存的基本存储单元（Cell）是一种类似Mos的浮栅（Floating Gate）晶体管,该浮栅四周被绝缘层包围，存储其中的电子不会掉电丢失。
• 0、1表示：当浮栅中没有电子时，表示为1；当浮栅中有电子时，表示为0，以此实现二进制的表示。
• 擦写操作
  • 写1操作：无需任何操作。
  • 写0操作：向浮栅中注入一定电子。
  • 写操作时，在控制极施加正电压，同衬底之间建立强电场，使电子进入浮栅。
  • 擦除操作时，建立反向强电场，把电子从浮栅中吸出来。
• 副作用：擦写次数过多时，会导致浮栅的绝缘性变差，电子会“跑出去”或者“跑进来”，导致数据失真。
• 读取操作，通过读取获取到里面是否有电子，以此判单表示的时0还是1
  • 向浮栅施加一个电压，介于有电子导通电压和无电子导通电压
  • 如果导通，说明是1，否则说明是0.
  • 因该读取 电压较小，所以不会对浮栅的电子绝缘性有破坏。
• 为什么闪存可以存储数据？
  • 因为闪存是非易失性存储，浮栅中的电子较难跑掉，可以保存0、1数据状态。
  • 闪存可以通过浮栅里面的电子有无或多少，表示0和1.
• 为什么闪存有寿命？
  • 因为擦写操作时，会施加强电场，次数多了，会导致绝缘性能下降，无法有效隔离电子，也就失去存储数据的功能了。
• 为什么要写前擦除？
  • 只有擦除了才能完成浮栅从0到1 的更改，擦除也就是将里面的电子给吸出去，使其表示为1.
• 为什么闪存有数据保持性问题？
  • 因为浮栅里面的电子，随着时间的流逝，会慢慢的溜出去，尤其擦写次数过多，导致绝缘性下降，无法准确记录和表示0，1，因此时间久了，数据保持能力就越差。